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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

शेन्ज़ेन हेफेंगक्सिन टेक्नोलॉजी कंपनी लिमिटेड।

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पूर्वाग्रह अवरोधक ट्रांजिस्टर

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PI4ULS3V204LEX रूपांतरण वोल्टेज स्तर द्विदिश 1.1-3.6V
PI4ULS3V204LEX रूपांतरण वोल्टेज स्तर द्विदिश 1.1-3.6V
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UMC5N बायस रेसिस्टर ट्रांजिस्टर डिजिटल 2 चैनल स्पेस सेविंग
UMC5N बायस रेसिस्टर ट्रांजिस्टर डिजिटल 2 चैनल स्पेस सेविंग
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DDTA115GE बायस रेसिस्टर ट्रांजिस्टर सिंगल कॉन्फ़िगरेशन PNP SMD/SMT इंस्टॉलेशन
DDTA115GE बायस रेसिस्टर ट्रांजिस्टर सिंगल कॉन्फ़िगरेशन PNP SMD/SMT इंस्टॉलेशन
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DCX114EH बायस रेसिस्टर ट्रांजिस्टर उच्च विश्वसनीयता डिजिटल ट्रांजिस्टर 100mA
DCX114EH बायस रेसिस्टर ट्रांजिस्टर उच्च विश्वसनीयता डिजिटल ट्रांजिस्टर 100mA
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ADTA114ECAQ-7 डिजिटल ट्रांजिस्टर PNP पूर्व-पक्षपाती छोटा सिग्नल ट्रांजिस्टर
ADTA114ECAQ-7 डिजिटल ट्रांजिस्टर PNP पूर्व-पक्षपाती छोटा सिग्नल ट्रांजिस्टर
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पूर्वाग्रह अवरोधक ट्रांजिस्टर

(241)
DMP32D4S-7 MOSFET 30V P-CH एन्हांसमेंट 2.4mOhm -10V -300mA
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DMP32D4S-7 MOSFET 30V P-CH एन्हांसमेंट 2.4mOhm -10V -300mA
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निर्माता: डायोड्स शामिल उत्पाद श्रेणी: MOSFET प्रौद्योगिकी: si स्थापना शैली: SMD/SMT पैकेज/बॉक्स: SOT-23-3 ट्रांजिस्टर ध्रुवता: p-चैनल चैनलों की संख्या: 1 चैनल Vds- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: 30 V. Id- निरं... और अधिक पढ़ें
2025-11-06 17:57:52
Si2308BDS-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
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Si2308BDS-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
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निर्माता: विशे उत्पाद श्रेणी: MOSFET प्रौद्योगिकी: si स्थापना शैली: SMD/SMT पैकेज/बॉक्स: SOT-23-3 ट्रांजिस्टर ध्रुवता: N-चैनल चैनलों की संख्या: 1 चैनल Vds- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: 60 V. Id- निरंतर ड्रेन ... और अधिक पढ़ें
2025-11-06 17:57:52
SI2308DS-T1-GE3 MOSFET अनुशंसित ALT SI23
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SI2308DS-T1-GE3 MOSFET अनुशंसित ALT SI23
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निर्माता: विशायउत्पाद श्रेणीः MOSFETप्रौद्योगिकी: siस्थापना की शैलीः SMD/SMTपैकेज/बॉक्सः SOT-23-3व्यापारिक नाम: TrenchFETपैकेजः रीलपैकेजः कटापट्रेडमार्क: विशाय/सिलिकॉनिक्सउत्पाद का प्रकारः MOSFETसीरीज: SI2उपश्र... और अधिक पढ़ें
2025-11-06 17:57:52
SI2308DS-T1-E3 1.45mm SOT-23-3
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SI2308DS-T1-E3 1.45mm SOT-23-3
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निर्माता: विशे उत्पाद श्रेणी: MOSFET प्रौद्योगिकी: si स्थापना शैली: SMD/SMT पैकेज/बॉक्स: SOT-23-3 व्यापार नाम: TrenchFET पैकेज: रील पैकेज: कटटेप एनकैप्सुलेशन: माउसरील ट्रेडमार्क: विशे/सिलिकॉनिक्स ऊंचाई: 1.45 मि... और अधिक पढ़ें
2025-11-06 17:57:52
LESDA6V1LT1G VBR=6.1V, एकदिशीय, VF=1.25V
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LESDA6V1LT1G VBR=6.1V, एकदिशीय, VF=1.25V
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कैटलॉग इलेक्ट्रोस्टैटिक और सर्ज प्रोटेक्शन (TVS/ESD) ध्रुवीयता एकदिशीय रिवर्स कट-ऑफ वोल्टेज (Vrwm) 5.25V V क्लैंपिंग वोल्टेज 300 v विशेषता पैरामीटर मान ब्रेकडाउन वोल्टेज 6.1V है रिवर्स करंट (Ir) 20uA प्रकार ESD ... और अधिक पढ़ें
2025-11-06 17:57:52
LESDA6V1W6T1G SC-88 TVS/ESD
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LESDA6V1W6T1G SC-88 TVS/ESD
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इलेक्ट्रोस्टैटिक और सर्ज प्रोटेक्शन (TVS/ESD) कैटलॉग ध्रुवीयता एकदिशीय रिवर्स कट-ऑफ वोल्टेज (Vrwm) 5V क्लैंपिंग वोल्टेज 100 V विशेषता पैरामीटर मान ब्रेकडाउन वोल्टेज 6.1V है रिवर्स करंट (Ir) - प्रकार TVS ... और अधिक पढ़ें
2025-11-06 17:57:52
AZ23C3V6-7-F 300mW 3.6V ड्यूल AEC-Q101 योग्य
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AZ23C3V6-7-F 300mW 3.6V ड्यूल AEC-Q101 योग्य
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निर्माता: डायोड्स इनकॉर्पोरेटेड उत्पाद श्रेणी: ज़ेनर डायोड Vz-ज़ेनर वोल्टेज: 3.6 v. स्थापना शैली: एसएमडी/एसएमटी पैकेज/बॉक्स: एसओटी-23-3 Pd- बिजली अपव्यय: 300mw वोल्टेज सहनशीलता: 5% Ir-अधिकतम रिवर्स रिसाव धारा: ... और अधिक पढ़ें
2025-11-06 17:57:52
DMN2050L सब-मिनिएचर ट्यूब
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DMN2050L सब-मिनिएचर ट्यूब
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निर्माता: डायोड्स इनकॉर्पोरेटेड उत्पाद श्रेणी: MOSFET प्रौद्योगिकी: si स्थापना शैली: SMD/SMT पैकेज/बॉक्स: SOT-23-3 ट्रांजिस्टर ध्रुवता: N-चैनल चैनलों की संख्या: 1 चैनल ट्रेडमार्क: डायोड्स इनकॉर्पोरेटेड विन्यास: ... और अधिक पढ़ें
2025-11-06 17:57:52
DMN2058UW-7 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T और R 3K
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DMN2058UW-7 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T और R 3K
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निर्माता: डायोड्स इनकॉर्पोरेटेड उत्पाद श्रेणी: MOSFET स्थापना शैली: SMD/SMT पैकेज/बॉक्स: SOT-323-3 ट्रांजिस्टर ध्रुवता: N-चैनल चैनलों की संख्या: 1 चैनल Vds- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: 20 V Id- निरंतर ड्रेन ... और अधिक पढ़ें
2025-11-06 17:57:52
DMN2050L-7 MOSFET 1.4W 20V
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DMN2050L-7 MOSFET 1.4W 20V
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निर्माता: डायोड्स इनकॉर्पोरेटेड उत्पाद श्रेणी: MOSFET प्रौद्योगिकी: Si स्थापना शैली: SMD/SMT पैकेज/बॉक्स: SOT-23-3 ट्रांजिस्टर ध्रुवता: N-चैनल चैनलों की संख्या: 1 चैनल Vds- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: 20 V ... और अधिक पढ़ें
2025-11-06 17:57:52
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