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Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

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Vorspannungswiderstandstransistor

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PI4ULS3V204LEX Wandlungspegel Bidirektional 1,1-3,6V
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UMC5N Bias-Widerstand-Transistor Digital 2-Kanal platzsparend
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DDTA115GE Bias-Widerstand-Transistor Einzelkonfiguration PNP SMD/SMT-Installation
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DCX114EH Bias-Widerstand-Transistor Hohe Zuverlässigkeit Digitaler Transistor 100mA
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ADTA114ECAQ-7 Digitaltransistor PNP vorgezogen Klein-Signal-Transistor
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Vorspannungswiderstandstransistor

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DMP32D4S-7 MOSFET 30V P-KANAL ANREICHERUNG 2,4 mOhm -10V -300mA
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Hersteller: Diodes Incorporated Produktkategorie: MOSFET Technologie: si Montageart: SMD/SMT Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3 Transistorpolarität: P-Kanal Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Vds - Drain-Source-Durchbruchspa... Lesen Sie weiter
2025-11-06 17:57:52
Si2308BDS-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
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Si2308BDS-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
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Hersteller: Vishay Produktkategorie: MOSFET Technologie: si Montageart: SMD/SMT Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3 Transistorpolarität: N-Kanal Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 60 V ... Lesen Sie weiter
2025-11-06 17:57:52
SI2308DS-T1-GE3 MOSFET empfohlen ALT SI23
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SI2308DS-T1-GE3 MOSFET empfohlen ALT SI23
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Hersteller: VishayProduktkategorie: MOSFETTechnologie: siEinbaustil: SMD/SMTVerpackung/Kiste: SOT-23-3Handelsname: TrenchFETPackung: SpiraleVerpackung: KuttappeMarke: Vishay/SiliconixProduktart: MOSFETsSerie: ... Lesen Sie weiter
2025-11-06 17:57:52
SI2308DS-T1-E3 1,45mm SOT-23-3
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SI2308DS-T1-E3 1,45mm SOT-23-3
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Hersteller: Vishay Produktkategorie: MOSFET Technologie: si Montageart: SMD/SMT Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3 Markenname: TrenchFET Verpackung: Rolle Verpackung: Gurt Kapselung: MouseReel Marke: Vishay/Siliconix ... Lesen Sie weiter
2025-11-06 17:57:52
LESDA6V1LT1G VBR=6.1V, unidirektional, VF=1.25V
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LESDA6V1LT1G VBR=6.1V, unidirektional, VF=1.25V
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Katalog Elektrostatik- und Überspannungsschutz (TVS/ESD) Polarität unidirektional Sperrspannung (Vrwm) 5,25 V Klemmspannung 300 V Attributparameterwert Die Durchbruchspannung beträgt 6,1 V Rückstrom (Ir) 20 µA ... Lesen Sie weiter
2025-11-06 17:57:52
LESDA6V1W6T1G SC-88 TVS/ESD
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LESDA6V1W6T1G SC-88 TVS/ESD
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Katalog Elektrostatik- und Überspannungsschutz (TVS/ESD) Polarität unidirektional Sperrspannung (Vrwm) 5V Klemmspannung 100 V Attributparameterwert Die Durchbruchspannung beträgt 6,1 V Rückstrom (Ir) - Typ TVS ... Lesen Sie weiter
2025-11-06 17:57:52
AZ23C3V6-7-F 300mW 3.6V Dual AEC-Q101 Qualifiziert
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AZ23C3V6-7-F 300mW 3.6V Dual AEC-Q101 Qualifiziert
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Hersteller: Diodes Incorporated Produktkategorie: Zenerdiode Vz-Zenerspannung: 3,6 V Montageart: SMD/SMT Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3 Pd-Verlustleistung: 300 mW Spannungstoleranz: 5 % Ir-Maximaler Rückstrom: ... Lesen Sie weiter
2025-11-06 17:57:52
DMN2050L Subminiaturröhre
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DMN2050L Subminiaturröhre
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Hersteller: Diodes Incorporated Produktkategorie: MOSFET Technologie: si Montageart: SMD/SMT Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3 Transistorpolarität: N-Kanal Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Markenname: Diodes Incorporated ... Lesen Sie weiter
2025-11-06 17:57:52
DMN2058UW-7 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T und R 3K
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DMN2058UW-7 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T und R 3K
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Hersteller: Diodes Incorporated Produktkategorie: MOSFET Montageart: SMD/SMT Gehäuse/Verpackung: SOT-323-3 Transistorpolarität: N-Kanal Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 20 V Id ... Lesen Sie weiter
2025-11-06 17:57:52
DMN2050L-7 MOSFET 1,4W 20V
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DMN2050L-7 MOSFET 1,4W 20V
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Hersteller: Diodes Incorporated Produktkategorie: MOSFET Technologie: si Montageart: SMD/SMT Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3 Transistorpolarität: N-Kanal Anzahl der Kanäle: 1 Kanal Vds - Drain-Source-Durchbruchspa... Lesen Sie weiter
2025-11-06 17:57:52
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