Si2308BDS-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

Produktdetails:

Herkunftsort:	Vereinigte Staaten
Markenname:	Vishay
Modellnummer:	Die in Absatz 1 genannten Anforderungen gelten nicht für die Produktion von Kraftfahrzeugen.

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge:	10
Preis:	USD 0.01-20/piece
Verpackung Informationen:	SOT-23
Lieferzeit:	5-8 Werktage
Zahlungsbedingungen:	T/T

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Ausführliche Produkt-Beschreibung

Installationsstil:	SMD/SMT	Paket/Box:	SOT-23
encap300Vsulation:	Reel, Cut Tape, MouseReel	Serie:	SI2
Stückgewicht:	mg 8
Hervorheben:	60V Biaswiderstand-Transistor , SMD-Vorwiderstand Transistor

Hersteller: Vishay
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 60 V
Id - Dauer-Drain-Strom: 2,3 A
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 156 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 3 V
Qg - Gate-Ladung: 2,3 nC
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 1,66 W
Kanalmodus: Anreicherung
Markenname: TrenchFET
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenname: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Einzel
Abfallzeit: 7 ns
Produkttyp: MOSFETs
Anstiegszeit: 10 ns
Serie: SI2
Unterkategorie: Transistoren
Transistortyp: 1 N-Kanal
Typische Abschaltverzögerungszeit: 10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4 ns
Teilenummer-Alias: SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-GE3-ge3
Einheitsgewicht: 8 mg

Größe und Tag:

Ansprechpartner: Hefengxin

Telefon: +8613652326683

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