Si2308BDS-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Estados Unidos
Marca:	Vishay
Número do modelo:	SI2308BDS-T1-GE3

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	10
Preço:	USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem:	SOT-23
Tempo de entrega:	5-8 dias úteis
Termos de pagamento:	T/T

Contato Converse agora

Descrição de produto detalhada

Estilo de instalação:	SMD/SMT	Pacote/caixa:	SOT-23
encapsulamento 300V:	Carretel, fita cortada, MouseReel	Série:	SI2
Peso unitário:	magnésio 8
Destacar:	Transistor de resistor de polarização de 60V , Resistor de polarização smd transistor

Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-23-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 60 V
Id - Corrente contínua de dreno: 2,3 A
Rds On - Resistência dreno-fonte ligado: 156 mOhms
Vgs - Tensão gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensão de limiar gate-source: 3 V
Qg - Carga gate: 2,3 nC
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - Dissipação de potência: 1,66 W
Modo do canal: Aprimoramento
Nome comercial: TrenchFET
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cuttape
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: Vishay Semiconductors
Configuração: Único
Tempo de descida: 7 ns
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 10 ns
Série: SI2
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tempo de atraso de fechamento típico: 10 ns
Tempo de atraso de ativação típico: 4 ns
Alias do número da peça: SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-GE3-ge3
Peso da unidade: 8 mg

etiqueta:

Pessoa de Contato: Hefengxin

Telefone: +8613652326683

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