Si2308BDS-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

Κατασκευαστής: Vishay
Κατηγορία προϊόντος: MOSFET
Τεχνολογία: si
Στυλ εγκατάστασης: SMD/SMT
Πακέτο/κουτί: SOT-23-3
Πολικότητα τρανζίστορ: N-Channel
Αριθμός καναλιών: 1 Channel
Vds - Τάση διακοπής αποστράγγισης-πηγής: 60 V.
Id - Συνεχές ρεύμα αποστράγγισης: 2.3a.
Rds On - Αντίσταση πηγής-αποστράγγισης: 156 mOhms
Vgs - Τάση πύλης-πηγής: - 20 V, +20 V
Vgs th - Τάση κατωφλίου πύλης-πηγής: 3 V
Qg - Φόρτιση πύλης: 2.3 nC
Ελάχιστη θερμοκρασία λειτουργίας: -55 C.
Μέγιστη θερμοκρασία λειτουργίας: +150 C.
Pd - Απώλεια ισχύος: 1.66 W
Λειτουργία καναλιού: Enhancement
Εμπορική ονομασία: TrenchFET
Συσκευασία: Reel
Συσκευασία: cuttape
Ενθυλάκωση: MouseReel
Εμπορικό σήμα: Vishay Semiconductors
Διάταξη: Single
Χρόνος καθόδου: 7 ns
Τύπος προϊόντος: MOSFETs
Χρόνος ανόδου: 10 ns
Σειρά: SI2
Υποκατηγορία: Τρανζίστορ
Τύπος τρανζίστορ: 1 N-Channel
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης κλεισίματος: 10 ns
Τυπικός χρόνος καθυστέρησης ενεργοποίησης: 4 ns
Εναλλακτικό νούμερο εξαρτήματος: SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-GE3-ge3
Βάρος μονάδας: 8 mg

Si2308BDS-T1-GE3.pdf