Si2308BDS-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	États-Unis
Nom de marque:	Vishay
Numéro de modèle:	Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de la fréquence d'émission de CO2.

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	10
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	SOT-23
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Style d'installation:	SMD / SMT	Package / boîte:	SOT-23
encap300Visolation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris	Série:	SI2
Poids unitaire:	mg 8
Mettre en évidence:	Transistor à résistance de polarisation 60V , Résistance de polarisation SMD pour transistor

Fabricant : Vishay
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/boîte : SOT-23-3
Polarité du transistor : Canal N
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 60 V.
Id - Courant de drain continu : 2,3 A.
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 156 mOhms
Vgs - Tension grille-source : -20 V, +20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 3 V
Qg - Charge de grille : 2,3 nC
Température de fonctionnement minimale : -55 °C.
Température de fonctionnement maximale : +150 °C.
Pd - Dissipation de puissance : 1,66 W
Mode de canal : Amélioration
Nom commercial : TrenchFET
Conditionnement : Bobine
Conditionnement : Coupe
Encapsulation : MouseReel
Marque : Vishay Semiconductors
Configuration : Simple
Temps de descente : 7 ns
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 10 ns
Série : SI2
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 Canal N
Temps de retard de fermeture typique : 10 ns
Temps de retard d'activation typique : 4 ns
Alias de numéro de pièce : SI2308BDS-T1-BE3 SI2308BDS-GE3-ge3
Poids unitaire : 8 mg

Produit Tag:

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