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PI4ULS3V204LEX 双方向電圧レベル変換 1.1-3.6V

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UMC5N バイアス抵抗トランジスタデジタル 2チャンネル省スペース

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DDTA115GE バイアス抵抗トランジスタシングル構成 PNP SMD/SMT 取り付け

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DCX114EH バイアス抵抗トランジスタ高信頼性デジタルトランジスタ 100mA

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ADTA114ECAQ-7 デジタルトランジスタ PNP プリバイアス小信号トランジスタ

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バイアス抵抗トランジスタ

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DMP32D4S-7 MOSFET 30V Pチャネルエンハンスメント 2.4mOhm -10V -300mA
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メーカー: Diodes Incorporated 製品カテゴリ: MOSFET テクノロジー: si 実装タイプ: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トランジスタ極性: Pチャネルチャンネル数: 1チャンネル Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: 30 V ... 続きを読む

2025-11-06 17:57:52

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Si2308BDS-T1-GE3 MOSFET 60V Vds 20V Vgs SOT-23
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メーカー：Vishay 製品カテゴリ：MOSFET テクノロジー：si 実装タイプ：SMD/SMT パッケージ/ケース：SOT-23-3 トランジスタ極性：Nチャネルチャンネル数：1チャンネル Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧：60 V Id - 連続ドレイン電流：2.3 A ... 続きを読む

2025-11-06 17:57:52

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SI2308DS-T1-GE3 MOSFET 推奨される ALT SI23
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製造者:ヴィシャイ製品カテゴリ:MOSFETテクノロジー: yes設置スタイル:SMD/SMTパッケージ/箱:SOT-23-3商標名:TrenchFETパッケージ:リールパッケージ: カッタップ商標:Vishay/Siliconix製品タイプ:MOSFETシリーズ:SI2サブカテゴリ:トランジスタ部... 続きを読む

2025-11-06 17:57:52

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SI2308DS-T1-E3 1.45mm SOT-23-3
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メーカー: Vishay 製品カテゴリ: MOSFET テクノロジー: si 実装タイプ: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 商標名: TrenchFET パッケージ: リールパッケージ: カットテープ梱包: MouseReel ブランド: Vishay/Siliconix ... 続きを読む

2025-11-06 17:57:52

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LESDA6V1LT1G VBR=6.1V, unidirectional, VF=1.25V
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静電気およびサージ保護（TVS/ESD）カタログ極性単方向逆阻止電圧（Vrwm）5.25V V クランプ電圧300V 属性パラメータ値降伏電圧は6.1Vです逆電流（Ir）20uA タイプESD LESDA6V1LT1G.PDF... 続きを読む

2025-11-06 17:57:52

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LESDA6V1W6T1G SC-88 TVS/ESD
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静電気およびサージ保護カタログ (TVS/ESD) 極性単方向逆阻止電圧 (Vrwm) 5V クランプ電圧 100V 属性パラメータ値降伏電圧は6.1Vです逆電流 (Ir) - タイプ TVS LESDA6V1W6T1G.PDF... 続きを読む

2025-11-06 17:57:52

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AZ23C3V6-7-F 300mW 3.6V デュアル AEC-Q101 認定
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メーカー: Diodes Incorporated 製品カテゴリ: ツェナーダイオード Vz-ツェナー電圧: 3.6 V 実装スタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 Pd-消費電力: 300mW 電圧許容差: 5% Ir-最大逆方向漏れ電流: 100 nA Zz-ツェナー... 続きを読む

2025-11-06 17:57:52

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DMN2050L サブミニチュア管
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メーカー: Diodes Incorporated 製品カテゴリ: MOSFET テクノロジー: si 実装タイプ: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トランジスタ極性: Nチャネルチャンネル数: 1チャンネル商標: Diodes Incorporated 構成: シングル ... 続きを読む

2025-11-06 17:57:52

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DMN2058UW-7 MOSFET MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T and R 3K
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メーカー: Diodes Incorporated 製品カテゴリ: MOSFET 実装スタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-323-3 トランジスタ極性: Nチャネルチャンネル数: 1チャンネル Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: 20 V Id - 連続ドレイ... 続きを読む

2025-11-06 17:57:52

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DMN2050L-7 MOSFET 1.4W 20V
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メーカー: Diodes Incorporated 製品カテゴリ: MOSFET テクノロジー: si 実装タイプ: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOT-23-3 トランジスタ極性: Nチャネルチャンネル数: 1チャンネル Vds - ドレイン-ソース間耐圧: 20 V Id - 連続ド... 続きを読む

2025-11-06 17:57:52

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