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バイアス抵抗トランジスタ

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バイアス抵抗トランジスタ

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BAV3004WS-7 小信号スイッチングダイオード 200MW 350V
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BAV3004WS-7 小信号スイッチングダイオード 200MW 350V
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メーカー: Diodes Incorporated 製品カテゴリ: 小信号スイッチングダイオード 製品: スイッチングダイオード 実装スタイル: SMD/SMT パッケージ/ケース: SOD-323 ピーク逆電圧: 350 V 最大サージ電流: 4 A If-順方向電流: 225mA 構成: シング... 続きを読む
2025-11-06 17:57:52
RSB6.8STE61 ESD保護ダイオード /TVSダイオード TVSアレイ2エレメント
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RSB6.8STE61 ESD保護ダイオード /TVSダイオード TVSアレイ2エレメント
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メーカー: ROHM Semiconductor製品カテゴリ: ESD保護ダイオード / TVSダイオード極性: 双方向チャンネル数: 1チャンネル動作電圧: 3.5 V終端タイプ: SMD/SMTブレークダウン電圧: 6.8 Vパッケージ/ケース: SOD-523-2ピークパルス電力消費 ... 続きを読む
2025-11-06 17:57:52
RSB6.8CST2RA ESD保護ダイオード/TVSダイオード 双方向ツェナーダイオード
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RSB6.8CST2RA ESD保護ダイオード/TVSダイオード 双方向ツェナーダイオード
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メーカー:ROHM Semiconductor 製品カテゴリ:ESD保護ダイオード/TVSダイオード 極性:双方向 チャンネル数:1チャンネル 終端タイプ:SMD/SMT ブレークダウン電圧:6.8 V パッケージ/ケース:SOD-923-2 ピークパルス消費電力(PPPM):10 W Cdダイオー... 続きを読む
2025-11-06 17:57:52
RSB6.8F2T106 ツェナーダイオード di; 双方向ツェナー
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RSB6.8F2T106 ツェナーダイオード di; 双方向ツェナー
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メーカー: ROHM Semiconductor製品カテゴリ: ツェナーダイオードVz - ツェナー電圧: 6.8 V実装スタイル: SMD/SMTパッケージ/ケース: SOT-323-3Pd - 消費電力: 200mWIr - 最大逆漏れ電流: 500 nA最小動作温度: -55 °C最大動作温度... 続きを読む
2025-11-06 17:57:52
RSB6.8STE61 ESD保護ダイオード /TVSダイオード TVSアレイ2エレメント
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メーカー: ROHM Semiconductor製品カテゴリ: ESD保護ダイオード / TVSダイオード極性: 双方向チャンネル数: 1チャンネル動作電圧: 3.5 V終端タイプ: SMD/SMTブレークダウン電圧: 6.8 Vパッケージ/ケース: SOD-523-2ピークパルス電力消費 ... 続きを読む
2025-11-06 17:57:52
RSB6.8SMT2N ESD保護ダイオード/TVSダイオード 静電容量スイッチコントローラーIC
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メーカー: ROHM Semiconductor 製品カテゴリ: ESD保護ダイオード/TVSダイオード 極性: 双方向 チャンネル数: 1チャンネル 動作電圧: 6.8 V 終端タイプ: SMD/SMT ブレークダウン電圧: 6.8 V パッケージ/ケース: SOD-523-2 ピークパルス消費電... 続きを読む
2025-11-06 17:57:52
NTGS3443T1G MOSFET 20V 2A Pチャネル
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NTGS3443T1G MOSFET 20V 2A Pチャネル
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メーカー: onsemi 製品カテゴリ: MOSFET テクノロジー: si 実装タイプ: SMD/SMT パッケージ/ケース: TSOP-6 トランジスタ極性: Pチャネル チャンネル数: 1チャンネル Vds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: 20 V Id - 連続ドレイン電流: 2 ... 続きを読む
2025-11-06 17:57:52
NTGS3441PT1G MOSFET PFET 20V 3.1A .1MOH
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Manufacturer: onsemi Product category: MOSFET Technology: si Installation style: SMD/SMT Package/box: TSOP-6 Transistor polarity: p-channel Number of ... 続きを読む
2025-11-06 17:57:52
NTGS3443BT1G MOSFET -20V -4.2A SGL Pチャネル TSOP-6
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メーカー: onsemi製品カテゴリ: MOSFETテクノロジー: si実装タイプ: SMD/SMTパッケージ/ケース: TSOP-6トランジスタ極性: Pチャネルチャンネル数: 1チャンネルVds - ドレイン-ソース間ブレークダウン電圧: 20 VId - 連続ドレイン電流: 3.7 ARds... 続きを読む
2025-11-06 17:57:52
NTGS3443T1G MOSFET 20V 2A P-Channel
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Manufacturer: onsemi Product category: MOSFET Technology: si Installation style: SMD/SMT Package/box: TSOP-6 Transistor polarity: p-channel Number of ... 続きを読む
2025-11-06 17:57:52
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