ZXTP19100CZTA Bipolar-Sperrschichttransistor PNP 100V 2A Praktisch

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Bipolar-Transistor-Bipolar-Junction-Transistor (BJT)
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Gehäuse: SOT-89-3
Transistorpolarität: PNP
Konfiguration: Einzel
Maximaler Gleichstrom-Kollektorstrom: 2 A
Maximale Kollektor-Emitter-Spannung VCEO: 100 V
Kollektor-Basis-Spannung VCBO: 110 V
Emitter-Basis-Spannung VEBO: 7 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 220 mV
Pd - Verlustleistung: 4,46 W
Verstärkungs-Bandbreitenprodukt fT: 142 MHz
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Serie: ZXTP191
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenname: Diodes Incorporated
Gleichstrom-Kollektor/Basis-Verstärkung hfemin: 200 bei 100 mA, 2 V, 70 bei 1 A, 2 V, 20 bei 2 A, 2 V
Maximale Gleichstromverstärkung hFE: 200
Höhe: 1,6 mm
Länge: 4,6 mm
Produkttyp: BJTs - Bipolare Transistoren
Unterkategorie: Transistoren
Breite: 2,6 mm
Einheitsgewicht: 52 mg