MOSFET 2N7002V, Canal N, Modo de Aprimoramento, Efeito de Campo

Fabricante: onsemi
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-563-6
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 2 canais
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 60 V
Id - Corrente contínua de dreno: 280 mA
Rds On - Resistência dreno-fonte ligado: 7,5 Ohms
Vgs - Tensão gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensão de limiar gate-source: 1 V
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - Dissipação de potência: 150 mW
Modo do canal: Aprimoramento
Embalagem: Carretel
Embalagem: Fita cortada
Encapsulamento: MouseReel
Marca comercial: onsemi/Fairchild
Configuração: Dupla
Altura: 0,78 mm
Comprimento: 1,6 mm
Produto: MOSFET Sinais Pequenos
Tipo de produto: MOSFETs
Série: 2N7002V
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 2 N-Channel
Tempo de atraso de fechamento típico: 12,5 ns
Tempo de atraso de ativação típico: 5,85 ns
Largura: 0,88 mm
Peso unitário: 2 mg

2N7002V.pdf