MOSFET 2N7002V à canal N, à enrichissement

Fabricant : onsemi
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-563-6
Polarité du transistor : N-Channel
Nombre de canaux : 2 canaux
Vds - Tension de claquage drain-source : 60 V
Id - Courant de drain continu : 280 mA
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 7,5 Ohms
Vgs - Tension grille-source : - 20 V, +20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1 V
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 150 mW
Mode de canal : Amélioration
Emballage : Bobine
Emballage : Bande coupée
Conditionnement : MouseReel
Marque : onsemi/Fairchild
Configuration : Double
Hauteur : 0,78 mm
Longueur : 1,6 mm
Produit : MOSFET Petits signaux
Type de produit : MOSFET
Série : 2N7002V
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 2 N-Channel
Temps de retard de fermeture typique : 12,5 ns
Temps de retard d'activation typique : 5,85 ns
Largeur : 0,88 mm
Poids unitaire : 2 mg

2N7002V.pdf