2N7002V MOSFET N-Kanal Enhancement-Mode Feldeffekt

Hersteller: onsemi
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: SOT-563-6
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 60 V
Id - Dauer-Drain-Strom: 280 mA
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 7,5 Ohm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 1 V
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 150 mW
Kanalmodus: Enhancement
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenname: onsemi/Fairchild
Konfiguration: Dual
Höhe: 0,78 mm
Länge: 1,6 mm
Produkt: MOSFET für kleine Signale
Produkttyp: MOSFETs
Serie: 2N7002V
Unterkategorie: Transistoren
Transistortyp: 2 N-Kanal
Typische Abschaltverzögerungszeit: 12,5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5,85 ns
Breite: 0,88 mm
Einheitsgewicht: 2 mg

2N7002V.pdf