MOSFET 2N7002V a canale N a potenziamento

Dettagli:

Luogo di origine:	Stati Uniti
Marca:	onsemi
Numero di modello:	2N7002V

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMT SOT-563-6
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	Diodo e raddrizzatore Schottky	Stile di installazione:	SMD/SMT
Pacchetto/scatola:	SOT-563-6	Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Serie:	2N7002V	Tipo di prodotto:	MOSFET
Peso unitario:	2 mg
Evidenziare:	Diodo Schottky raddrizzatore piccolo , Diodo Schottky raddrizzatore ad alta efficienza

Produttore: onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: SOT-563-6
Polarità transistor: N-Channel
Numero di canali: 2 canali
Vds - Tensione di rottura Drain-source: 60 V
Id - Corrente di drain continua: 280 mA
Rds On - Resistenza drain-source on: 7.5 Ohm
Vgs - Tensione gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1 V
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 150 mW
Modalità canale: Enhancement
Confezione: Reel
Confezione: cuttape
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: onsemi/Fairchild
Configurazione: Dual
Altezza: 0.78 mm
Lunghezza: 1.6 mm
Prodotto: MOSFET Small Signals
Tipo di prodotto: MOSFET
Serie: 2N7002V
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 2 N-Channel
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 12.5 ns
Tempo di ritardo di attivazione tipico: 5.85 ns
Larghezza: 0.88 mm
Peso unitario: 2 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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