Tranzystor MOSFET 2N7002V N-kanałowy, wzmocniony

Producent: onsemi
Kategoria produktu: MOSFET
Technologia: si
Styl montażu: SMD/SMT
Obudowa/opakowanie: SOT-563-6
Polaryzacja tranzystora: N-kanałowy
Liczba kanałów: 2 kanały
Vds - napięcie przebicia dren-źródło: 60 V
Id - ciągły prąd drenu: 280 mA
Rds On - rezystancja włączenia dren-źródło: 7,5 Ohma
Vgs - napięcie bramka-źródło: -20 V, +20 V
Vgs th - napięcie progowe bramka-źródło: 1 V
Minimalna temperatura pracy: -55 C
Maksymalna temperatura pracy: +150 C
Pd - dyssypacja mocy: 150 mW
Tryb kanału: Wzmocnienie
Opakowanie: Szpula
Opakowanie: Taśma cięta
Pakowanie: MouseReel
Znak towarowy: onsemi/Fairchild
Konfiguracja: Podwójna
Wysokość: 0,78 mm
Długość: 1,6 mm
Produkt: MOSFET Małe Sygnały
Typ produktu: MOSFETy
Seria: 2N7002V
Podkategoria: Tranzystory
Typ tranzystora: 2 N-kanałowe
Typowy czas opóźnienia wyłączenia: 12,5 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 5,85 ns
Szerokość: 0,88 mm
Waga jednostkowa: 2 mg

2N7002V.pdf