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SI2323DS-T1-BE3 MOSFET SOT23 P CANAL 20V

SI2323DS-T1-BE3 MOSFET SOT23 P CANAL 20V

Detalhes do produto:
Lugar de origem: Estados Unidos
Marca: Vishay
Número do modelo: SI2323DS-T1-BE3
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: 1
Preço: USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem: SMD/SMT SOT-23-3
Tempo de entrega: 5-8 dias úteis
Termos de pagamento: T/T
Contato Converse agora
Descrição de produto detalhada
Produto: MOSFET Pacote/caixa: SOT-23-3
Estilo de instalação: SMD/SMT Encapsulamento: Carretel, fita cortada, MouseReel
Tipo de produto: MOSFETS Peso unitário: magnésio 8
Série: 1 P-Canal
Destacar:

Retificador Schottky de diodo pequeno

,

retificador Schottky de diodo de alta eficiência

Fabricante: Vishay
Categoria de produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: SOT-23-3
Polaridade do transistor: canal p
Número de canais: 1 canal
Vds - tensão de ruptura dreno-fonte: 20 V
Id - corrente contínua de dreno: 4,7 A
Rds On - resistência dreno-fonte ligado: 39 mOhms
Vgs - tensão porta-fonte: -8 V, +8 V
Vgs th - tensão de limiar porta-fonte: 1 V
Qg - carga da porta: 12,5 nc
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - dissipação de potência: 1,25 W
Modo do canal: Aprimoramento
Embalagem: Carretel
Embalagem: Corte de fita
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: Vishay/Siliconix
Configuração: Único
Tempo de descida: 48 ns
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 43 ns
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 Canal P
Tempo típico de atraso de fechamento: 71 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 25 ns
Alias do número da peça: si2323ds-t1-E3
Peso da unidade: 8 mg

SI2323DS-T1-E3.pdf

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Pessoa de Contato: Hefengxin

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