SI2323DS-T1-BE3 ماسفت SOT23 P کانال 20V

سازنده: ویشی
دسته بندی محصول: MOSFET
فناوری: si
سبک نصب: SMD/SMT
بسته/جعبه: SOT-23-3
قطبیت ترانزیستور: کانال p
تعداد کانال ها: 1 کانال
Vds - ولتاژ شکست درین-سورس: 20 ولت
Id - جریان درین پیوسته: 4.7 آمپر
Rds On - مقاومت روشن درین-سورس: 39 میلی اهم
Vgs - ولتاژ گیت-سورس: -8 ولت، +8 ولت
Vgs th - ولتاژ آستانه گیت-سورس: 1 ولت
Qg - شارژ گیت: 12.5 نانو کولن
حداقل دمای کارکرد: -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای کارکرد: +150 درجه سانتیگراد
Pd - تلفات توان: 1.25 وات
حالت کانال: تقویت شده
بسته بندی: حلقه ای
بسته بندی: نوار برش خورده
محفظه: MouseReel
علامت تجاری: Vishay/Siliconix
پیکربندی: تک
زمان نزول: 48 نانوثانیه
نوع محصول: MOSFET ها
زمان صعود: 43 نانوثانیه
زیرشاخه: ترانزیستورها
نوع ترانزیستور: 1 کانال P
زمان تاخیر بسته شدن معمولی: 71 نانوثانیه
زمان تاخیر روشن شدن معمولی: 25 نانوثانیه
نام مستعار شماره قطعه: si2323ds-t1-E3
وزن واحد: 8 میلی گرم

SI2323DS-T1-E3.pdf