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Aperçu ProduitsDiode de protection contre les débris électromagnétiques

SI2323DS-T1-BE3 MOSFET SOT23 P CANAL 20V

SI2323DS-T1-BE3 MOSFET SOT23 P CANAL 20V

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: États-Unis
Nom de marque: Vishay
Numéro de modèle: SI2323DS-T1-BE3
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 1
Prix: USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage: CMS/CMS SOT-23-3
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
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Description de produit détaillée
Produit: Transistor MOSFET Package / boîte: SOT-23-3
Style d'installation: SMD / SMT Encapsulation: Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit: Mosfets Poids unitaire: mg 8
Série: 1 canal P
Mettre en évidence:

Redresseur Schottky à diode petite

,

Redresseur Schottky à diode à haut rendement

Fabricant : Vishay
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : Si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/Emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : Canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20 V
Id - Courant de drain continu : 4,7 A
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 39 mOhms
Vgs - Tension grille-source : -8 V, +8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 1 V
Qg - Charge de grille : 12,5 nC
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 1,25 W
Mode de canal : Amélioration
Emballage : Bobine
Emballage : Coupe en bande
Conditionnement : MouseReel
Marque : Vishay/Siliconix
Configuration : Simple
Temps de descente : 48 ns
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 43 ns
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 canal P
Temps de retard de fermeture typique : 71 ns
Temps de retard d'activation typique : 25 ns
Alias de numéro de pièce : Si2323DS-T1-E3
Poids unitaire : 8 mg

SI2323DS-T1-E3.pdf

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