SI2323DS-T1-BE3 MOSFET SOT23 P KANAL 20V

Hersteller: Vishay
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: SOT-23-3
Transistorpolarität: P-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 20 V
Id - Dauer-Drain-Strom: 4,7 A
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 39 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 1 V
Qg - Gate-Ladung: 12,5 nC
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 1,25 W
Kanalmodus: Anreicherung
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Verkapselung: MouseReel
Markenname: Vishay/Siliconix
Konfiguration: Einzel
Abfallzeit: 48 ns
Produkttyp: MOSFETs
Anstiegszeit: 43 ns
Unterkategorie: Transistoren
Transistortyp: 1 P-Kanal
Typische Verzögerungszeit beim Schließen: 71 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 25 ns
Teilenummer-Alias: si2323ds-t1-E3
Einheitsgewicht: 8 mg

SI2323DS-T1-E3.pdf