SI2323DS-T1-BE3 MOSFET SOT23 P CANALE 20V

Dettagli:

Luogo di origine:	Stati Uniti
Marca:	Vishay
Numero di modello:	SI2323DS-T1-BE3

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMT SOT-23-3
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	MOSFET	Pacchetto/scatola:	SOT-23-3
Stile di installazione:	SMD/SMT	Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Tipo di prodotto:	MOSFET	Peso unitario:	8 mg
Serie:	1 canale P
Evidenziare:	Diodo Schottky raddrizzatore piccolo , Diodo Schottky raddrizzatore ad alta efficienza

Produttore: Vishay
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di montaggio: SMD/SMT
Package/Contenitore: SOT-23-3
Polarità del transistor: canale P
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 20 V
Id - Corrente di drain continua: 4.7 A
Rds On - Resistenza drain-source on: 39 mOhms
Vgs - Tensione gate-source: -8 V, +8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1 V
Qg - Carica del gate: 12.5 nC
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 1.25 W
Modalità canale: Enhancement
Package: Reel (Bobina)
Package: Cuttape (Nastro tagliato)
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Vishay/Siliconix
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 48 ns
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 43 ns
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 canale P
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 71 ns
Tempo di ritardo di attivazione tipico: 25 ns
Alias codice componente: si2323ds-t1-E3
Peso unitario: 8 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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