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제품 소개이산 반도체 장치

UNR211300L 이산 반도체 장치, 프리 바이어싱된 트랜지스터 50V 100MA 80MHz 200MW

UNR211300L 이산 반도체 장치, 프리 바이어싱된 트랜지스터 50V 100MA 80MHz 200MW

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UNR211300L 이산 반도체 장치, 프리 바이어싱된 트랜지스터 50V 100MA 80MHz 200MW
제품 상세 정보:
브랜드 이름: Panasonic Electronic Components
인증: ISO9001
모델 번호: UNR211300L
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: >=1pcs
가격: request for need
포장 세부 사항: 테이프 & 릴 (TR)는 테이프 (CT) Digi 릴을 줄입니다
배달 시간: 2-3Days
지불 조건: T/T/Escrow, L/C (신용장), 인수 인도, D/P (지급도 조건), 웨스턴 유니온, 머니그램
공급 능력: Day+pcs+1-2days 당 100000 에이커 / 에이커
접촉
상세 제품 설명
상세한 설명: 트랜스 프리바이어스 PNP 200MW MINI3 제품 상태: 활동가
전류 - 컬렉터(Ic)(최대): 100mA 저항기 - 베이스(R1): 47 크옴스
전류 - 컬렉터 컷오프(최대): 500nA 작동 온도 :: -55°C ~ 155°C
빈도 - 전환: 80 마하즈 패키지 / 건: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
하이 라이트:

UNR211300L 이산 반도체 장치

,

80MHz 이산 반도체 장치

,

프리 바이어싱된 트랜지스터 50V

UNR211300L은 바이폴라 트랜지스터 PNP를 미리 바이어싱시켰습니다 - 미리 바이어싱시킨 50 V 100 마 80 마하즈 200 MW

 

제품 설명

 

부품번호 UNR211300L은 파나소닉 전자 부품에 의해 제조되고 스트제이케이에 의해 분배됩니다. 전자 제품의 주요 공급자들 중 하나로서, 우리는 많은 전자 부품을 세계의 최고 제조업체들에서 나릅니다.

 

UNR211300L에 대한 더 많은 정보를 위해 상술, 인용, 생산 소요 시간, 지불 기간을 상술했고, 우리와 연락하기를 더 미안하지만, 주저하지 않습니다. 미안하지만, 당신의 조회를 처리하기 위해 양 UNR211300L을 당신의 메시지에 더합니다. 지금 이메일을 인용문을 위한 stjkelec@hotmail.com에게 보내세요.

 

상품 특성

 

트랜지스터형
PNP - 미리 바이어싱시킨
경향 - 수집기 (Ic) (맥스)
100 마
전압 - 수집기 방출기 고장 (맥스)
50 V
저항기 - 토대 (R1)
47 크옴스
저항기 - 방출기 베이스 (R2)
47 크옴스
Ic, 프스에 있는 직류 전류 이득 (hFE) (민)
5mA, 10V에 있는 80
Ib, Ic에 있는 프스 포화 (맥스)
300uA, 10mA에 있는 250mV
경향 - 집전기 절단 (맥스)
500nA
주파수 - 변화
80 마하즈
전원 - 맥스
200 mW
증가하는 타입
표면 부착
패키지 / 건
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 소자 패키지
Mini3-G1
베이스 상품 다수
UNR211

 

UNR211300L 이산 반도체 장치, 프리 바이어싱된 트랜지스터 50V 100MA 80MHz 200MW 0

UNR211300L 이산 반도체 장치, 프리 바이어싱된 트랜지스터 50V 100MA 80MHz 200MW 1

UNR211300L 이산 반도체 장치, 프리 바이어싱된 트랜지스터 50V 100MA 80MHz 200MW 2

UNR211300L 이산 반도체 장치, 프리 바이어싱된 트랜지스터 50V 100MA 80MHz 200MW 3

연락처 세부 사항
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

담당자: Tom Guo

전화 번호: +8613822899993

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