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ELEKTRONIK CO. STJK (HK), BEGRENZTE

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Getrennte Halbleiterbauelemente UNR211300L, vor voreingenommener Transistor 50V 100MA 80MHz 200MW

Getrennte Halbleiterbauelemente UNR211300L, vor voreingenommener Transistor 50V 100MA 80MHz 200MW

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Getrennte Halbleiterbauelemente UNR211300L, vor voreingenommener Transistor 50V 100MA 80MHz 200MW
Produktdetails:
Markenname: Panasonic Electronic Components
Zertifizierung: ISO9001
Modellnummer: UNR211300L
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: >=1pcs
Preis: request for need
Verpackung Informationen: Band-u. Schnitt-des Band-(CT) Digi-Spule der Spulen-(TR)
Lieferzeit: 2-3Days
Zahlungsbedingungen: T/T/Escrow, L/C, D/A, D/P, Western Union, MoneyGram
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000 Morgen/Morgen pro Day+pcs+1-2days
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Ausführliche Beschreibung: TRANSPORT PREBIAS PNP 200MW MINI3 Produkt-Status: Aktiv
Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Widerstand - Basis (R1): 47 kOhms
Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA Betriebstemperatur:: -55 °C ~ 155 °C
Frequenz - Übergang: 80 MHZ Paket/Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Markieren:

Getrennte Halbleiterbauelemente UNR211300L

,

getrennte Halbleiterbauelemente 80MHz

,

Vor voreingenommener Transistor 50V

Vor-voreingenommenes bipolar Transistor PNP - Vor-voreingenommene 50 V 100 MA 80 MHZ 200 MW UNR211300L

 

PRODUKT-BESCHREIBUNG

 

Teilnummer UNR211300L wird durch elektronische Bauelemente Panasonics hergestellt und verteilt durch Stjk. Als einer der führenden Verteiler der elektronischen Produkte, tragen wir viele elektronischen Bauelemente von den Spitzenherstellern der Welt.

 

Zu mehr Information über UNR211300L Einzelspezifikationen, Zitate, Vorbereitungs- und Anlaufzeiten, Zahlungsbedingungen und mehr, bitte zögern Sie nicht, mit uns in Verbindung zu treten. Um Ihre Untersuchung zu verarbeiten, fügen Sie bitte die Quantität UNR211300L Ihrer Mitteilung hinzu. Schicken Sie stjkelec@hotmail.com für ein Zitat eine E-Mail jetzt.

 

PRODUKT-EIGENSCHAFTEN

 

Transistor-Art
PNP - Vor-voreingenommen
Gegenwärtig - Kollektor (IC) (maximal)
100 MA
Spannung - Kollektor-Emitter Zusammenbruch (maximal)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
47 kOhms
Widerstand - Emitter-Basis (R2)
47 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (Minute) @ IC, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (maximal) @ Ib, IC
250mV @ 300µA, 10mA
Gegenwärtig - Kollektor-Abkürzung (maximal)
500nA
Frequenz - Übergang
80 MHZ
Macht- maximales
200 mW
Befestigung der Art
Oberflächenberg
Paket/Fall
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferanten-Gerät-Paket
Mini3-G1
Niedrige Produkt-Zahl
UNR211

 

Getrennte Halbleiterbauelemente UNR211300L, vor voreingenommener Transistor 50V 100MA 80MHz 200MW 0

Getrennte Halbleiterbauelemente UNR211300L, vor voreingenommener Transistor 50V 100MA 80MHz 200MW 1

Getrennte Halbleiterbauelemente UNR211300L, vor voreingenommener Transistor 50V 100MA 80MHz 200MW 2

Getrennte Halbleiterbauelemente UNR211300L, vor voreingenommener Transistor 50V 100MA 80MHz 200MW 3

Kontaktdaten
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ansprechpartner: Tom Guo

Telefon: +8613822899993

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