โทร:
พูดคุยกันตอนนี้
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

บริษัท เซินเจิ้น เหอเฟิงซิน เทคโนโลยี จำกัด

บ้าน ผลิตภัณฑ์

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ไอซีวงจรรวม (201)
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (833)
ยืนยันแผ่นหนา (29)
ตัวเหนี่ยวนำความถี่สูง (73)
ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ (241)
ไดโอด์ป้องกัน ESD (95)
ไดโอด สกปรก Rectifier (103)
ทรานซิสเตอร์มอสเฟต (13)
อุปกรณ์ป้องกันไฟกระชากไทริสเตอร์ (20)
ตัวควบคุมการออกกลางคันต่ำ (28)
ไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์ (15)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน
C2012X5R1A476M125AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น 47 UF MLCC-SMD/SMT0805
C2012X5R1A476M125AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น 47 UF MLCC-SMD/SMT0805
C3216X5R1E476M160AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 1206 25VDC 47 UF 20% X5R 1.6 มม.
C3216X5R1E476M160AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 1206 25VDC 47 UF 20% X5R 1.6 มม.
HV1812Y221KX6ATHV ตัวเก็บประจุแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 220 PF ขั้วต่อมาตรฐาน
HV1812Y221KX6ATHV ตัวเก็บประจุแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 220 PF ขั้วต่อมาตรฐาน
VJ0805A681KXAAC ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC MLCC-SMD/SMT 680 PF 50 โวลต์ C0G 10%
VJ0805A681KXAAC ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC MLCC-SMD/SMT 680 PF 50 โวลต์ C0G 10%
VJ1206A101JXACW1BC ชิป Mlcc MLCC-SMD/SMT 1206 100 PF 50 โวลต์ C0G 5%
VJ1206A101JXACW1BC ชิป Mlcc MLCC-SMD/SMT 1206 100 PF 50 โวลต์ C0G 5%
1 2 3 4 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

(833)
CL05A335MR5NNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
Video

CL05A335MR5NNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 3.3 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 4 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสเปลือก - นิ้ว: 0402 รหัสเปลือก ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:20
GRM31M2T1H122JD01L ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
Video

GRM31M2T1H122JD01L ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Murata หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 1200 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: th ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสตัวถัง-in: 1206 รหัสตัวถัง-mm: 3216 ชนิดการสิ้... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:20
CL10F334ZO8NNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
Video

CL10F334ZO8NNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.33 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 16 VDC ไดอิเล็กทริก: Y5V ความคลาดเคลื่อน: -20%,+80% รหัสเปลือก-in: 0603 รหั... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:20
12061E103MAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ชิปเชิงพาณิชย์-STD MB CMAP-fn
Video

12061E103MAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ชิปเชิงพาณิชย์-STD MB CMAP-fn
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.01 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 100 VDC ไดอิเล็กทริก: Z5U ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 1206 รหัสตัวถัง-มม.: 3216 อุ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:20
CL21Y475KAFNNNE ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
Video

CL21Y475KAFNNNE ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 4.7 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 25 VDC ไดอิเล็กทริก: X7S ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสเปลือก - นิ้ว: 0805 รหัสเป... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:20
12101C103MAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM 32 RR 72 A 103 Mu New Global PN 100 V.01 UFA 581-KGM 32 RR 72 A 103 Mu
Video

12101C103MAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM 32 RR 72 A 103 Mu New Global PN 100 V.01 UFA 581-KGM 32 RR 72 A 103 Mu
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.01 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 100 VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสเปลือก - นิ้ว: 1210 รหัสเปลือก - มม.: ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:20
CL43B224KEJNNNF ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
Video

CL43B224KEJNNNF ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.22 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 250 VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสเปลือก-นิ้ว: 1812 รหัสเป... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:20
BLM18TG102TN1D ลูกปัดเฟอร์ไรต์ 1000 โอห์ม 25% คู่มือขนาดทางเลือกด้านล่าง
Video

BLM18TG102TN1D ลูกปัดเฟอร์ไรต์ 1000 โอห์ม 25% คู่มือขนาดทางเลือกด้านล่าง
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Murata หมวดหมู่สินค้า: ลูกปัดเฟอร์ไรต์ ซีรีส์: BLM18_xN ผลิตภัณฑ์: ลูกปัดชิปเฟอร์ไรต์ ประเภทการสิ้นสุด: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: 0603 (เมตริก 1608) อิมพีแดนซ์: 1 kOhms กระแสไฟตรงสูงสุด: 100mA ความคลาดเคล... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:20
CL10F104ZA8NNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 100NF-20,+80% 25Y50603
Video

CL10F104ZA8NNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 100NF-20,+80% 25Y50603
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.1 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 25 VDC ไดอิเล็กทริก: Y5V ความคลาดเคลื่อน: -20%, +80% รหัสเปลือก - นิ้ว: 0603 ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:20
12106Z226MAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 6.3V 22uF X7S 1210 0.2
Video

12106Z226MAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 6.3V 22uF X7S 1210 0.2
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 22 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6.3 VDC ไดอิเล็กทริก: X7S ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 1210 รหัสตัวถัง-มม.: 3225 ชนิด... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-11 18:34:20
Page 61 of 84|< 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 >|
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
9D, ชั้น 9, อาคาร A, Modern Window, ถนน Huaqiang North, เขต Futian, เซินเจิ้น
โทร:0755-23933424
นโยบายความเป็นส่วนตัว ｜ ประเทศจีน ดี คุณภาพ ไอซีวงจรรวม ผู้ผลิต. © 2025 Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.. All Rights Reserved.