ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

ไอซีวงจรรวม (201)

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (833)

ยืนยันแผ่นหนา (29)

ตัวเหนี่ยวนำความถี่สูง (73)

ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ (241)

ไดโอด์ป้องกัน ESD (95)

ไดโอด สกปรก Rectifier (103)

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต (13)

อุปกรณ์ป้องกันไฟกระชากไทริสเตอร์ (20)

ตัวควบคุมการออกกลางคันต่ำ (28)

ไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์ (15)

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

C2012X5R1A476M125AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น 47 UF MLCC-SMD/SMT0805

C3216X5R1E476M160AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 1206 25VDC 47 UF 20% X5R 1.6 มม.

HV1812Y221KX6ATHV ตัวเก็บประจุแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 220 PF ขั้วต่อมาตรฐาน

VJ0805A681KXAAC ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC MLCC-SMD/SMT 680 PF 50 โวลต์ C0G 10%

VJ1206A101JXACW1BC ชิป Mlcc MLCC-SMD/SMT 1206 100 PF 50 โวลต์ C0G 5%

1 2 3 4 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

(833)

Video

18122C563KAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 200V.056UFX7R1812 10% TOL
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.056 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 200 VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสเปลือก - นิ้ว: 1812 รหัสเปลือก - มม.: ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:23

Video

1812AA101JAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM43BCG 3A101JV New Global PN 1KV100PF A581-KGM43BCG 3A101JV
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 100 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 1 kVDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสเปลือก - นิ้ว: 1812 รหัสเปลือก - มม.: ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:23

Video

12103A123FAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT การเปลี่ยนแปลงหมายเลขชิ้นส่วน (pn) หมายเลขชิ้นส่วนใหม่ KGM 32hcg1e123fusee เอกสารแนบ
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.012 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 25 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 1% รหัสเปลือก-นิ้ว: 1210 รหัสเปลือก-มม.: ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:23

Video

GCM2195C2A122GA16D ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 1200pf100VDC 2% 0805c0g (NP0) AEC-Q200
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Murata หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 1200 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 100 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 2% รหัสเปลือก-in: 0805 รหัสเปลือก-mm: 2012 ปร... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:23

Video

GMD033B11E561MA01D ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT โปรดดูรุ่นทดแทนที่แนะนำโดย Murata: GMD 033R71E561Ma01D
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Murata หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ซีรีส์: GMD บรรจุภัณฑ์: รีล บรรจุภัณฑ์: cuttape การห่อหุ้ม: MouseReel เครื่องหมายการค้า: Murata Electronics ประเภทสินค้า: ตัวเก็บประจุ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:23

Video

CL02A473KQ2NNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.047 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6.3 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสเปลือก - นิ้ว: 1005 รหั... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:23

Video

CGA3E1C0G2A822J080AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT CGA 0603 100 V 8200 PF C0G 5% AEC-Q200
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: TDK หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 8200 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 100 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสตัวถัง-in: 0603 รหัสตัวถัง-mm: 1608 ประเภ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:23

Video

CL32B475KBJNFNE ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 4.7UF+/-10% 50X7R1210
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 4.7 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสเปลือก-in: 1210 รหัสเปลือก... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:23

Video

22252A223JAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGm56DCG223JV New Global PN 200V.022Ua581-KGm56DCG223JV
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.022 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 200 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสเปลือก - นิ้ว: 2225 (กลับด้าน) ร... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:23

Video

CL10C200JB8NNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 20PF+/-5% 50C0G16 0603
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 20 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 50 VDC ไดอิเล็กทริก: C0G (NP0) ความคลาดเคลื่อน: 5% รหัสเปลือก-in: 0603 รหัสเป... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:23

Page 35 of 84|< << 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 >> >|