ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด

ไอซีวงจรรวม (201)

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (833)

ยืนยันแผ่นหนา (29)

ตัวเหนี่ยวนำความถี่สูง (73)

ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ (241)

ไดโอด์ป้องกัน ESD (95)

ไดโอด สกปรก Rectifier (103)

ทรานซิสเตอร์มอสเฟต (13)

อุปกรณ์ป้องกันไฟกระชากไทริสเตอร์ (20)

ตัวควบคุมการออกกลางคันต่ำ (28)

ไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์ (15)

สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน

C2012X5R1A476M125AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น 47 UF MLCC-SMD/SMT0805

C3216X5R1E476M160AC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 1206 25VDC 47 UF 20% X5R 1.6 มม.

HV1812Y221KX6ATHV ตัวเก็บประจุแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 220 PF ขั้วต่อมาตรฐาน

VJ0805A681KXAAC ตัวเก็บประจุเซรามิก MLCC MLCC-SMD/SMT 680 PF 50 โวลต์ C0G 10%

VJ1206A101JXACW1BC ชิป Mlcc MLCC-SMD/SMT 1206 100 PF 50 โวลต์ C0G 5%

1 2 3 4 5

ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น

(833)

Video

06036D475MAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM15BR50J475MT New Global PN 6.3V4.7UFA581-KGM15BR50J475MT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 4.7 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6.3 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสเปลือก-in: 0603 รหัสเปลือก-mm: 1608 ประเภท... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:26

Video

06036D105MAT4A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM15BR50J105mm ใหม่ Global PN 6.3V1UFX A581-KGM15BR50J105mm
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 1 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6.3 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสตัวถัง-in: 0603 รหัสตัวถัง-mm: 1608 ประเภทกา... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:26

Video

06036D334MAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM15BR50J334MT ใหม่ Global PN 6.3V3UFA581-KGM15BR50J334MT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.33 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6.3 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสตัวถัง-in: 0603 รหัสตัวถัง-mm: 1608 ประเภ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:26

Video

06036D824KAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 6.3V.82UFX5R0603 ความคลาดเคลื่อน 10%
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.82 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6.3 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสเปลือก - นิ้ว: 0603 รหัสเปลือก - มม.: ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:26

Video

06036D106MAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM15cr50J106mt New Global PN 6.3V10UFA581-KGM15cr50J106mt
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 10 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6.3 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 0603 รหัสตัวถัง-มม.: 1608 ป... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:26

Video

06036D823KAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 6.3V.082UFX5R0603 10% TOL
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.082 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6.3 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 0603 รหัสตัวถัง-มม.: 1608 ป... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:26

Video

06036D102KAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 6.3v1000pf x5r0603 10%
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 1000 pF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6.3 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสเปลือก - นิ้ว: 0603 รหัสเปลือก - มม.: ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:26

Video

06036D225KAT2A ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT KGM15BR50J225kt New Global PN 6.3V2.2UFA 581-KGM15BR50J225kt
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: KYOCERA AVX หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 2.2 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6.3 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสตัวถัง-นิ้ว: 0603 รหัสตัวถัง-มม.: 1608 ประ... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:26

Video

GRM32DR72D104KW01K ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Murata หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 0.1 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 500 VDC ไดอิเล็กทริก: X7R ความคลาดเคลื่อน: 10% รหัสเปลือก - นิ้ว: 1210 รหัสเปลือก - มม.: 3225 ป... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:26

Video

CL10A106MQ8NNNC ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT 10uf+/-20% 6.3vx5r0603
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Samsung Electro-Mechanics หมวดหมู่สินค้า: ตัวเก็บประจุเซรามิกแบบหลายชั้น MLCC-SMD/SMT ค่าความจุ: 10 uF พิกัดแรงดันไฟฟ้า DC: 6.3 VDC ไดอิเล็กทริก: X5R ความคลาดเคลื่อน: 20% รหัสเปลือก-in: 0603 รหัสเปลือก... อ่านเพิ่มเติม

2025-11-11 18:34:25

Page 15 of 84|< << 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 >> >|