FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

Fabricante: onsemi
Categoria do produto: MOSFET
Tecnologia: si
Estilo de instalação: SMD/SMT
Pacote/caixa: ssot-3
Polaridade do transistor: N-Channel
Número de canais: 1 Canal
Vds - Tensão de ruptura dreno-fonte: 30 V
Id - Corrente contínua de dreno: 2.2A
Rds On - Resistência dreno-fonte ligado: 65 mOhms
Vgs - Tensão gate-source: -8 V, +8 V
Vgs th - Tensão de limiar gate-source: 400 mV
Qg - Carga da comporta: 9 nC
Temperatura mínima de operação: -55 C
Temperatura máxima de operação: +150 C
Pd - Dissipação de potência: 500mW
Modo do canal: Aprimoramento
Embalagem: Carretel
Embalagem: Cuttape
Encapsulamento: MouseReel
Marca registrada: onsemi/Fairchild
Configuração: Único
Tempo de descida: 10 ns
Transcondutância direta - mínimo: 13 S
Altura: 1,12 mm
Comprimento: 2,9 mm
Produto: MOSFET Sinais Pequenos
Tipo de produto: MOSFETs
Tempo de subida: 10 ns
Série: FDN 337 n
Subcategoria: Transistores
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tipo: FET
Tempo típico de atraso de fechamento: 17 ns
Tempo típico de atraso de ativação: 4 ns
Largura: 1,4 mm
Alias do número da peça: FDN337N_NL
Peso unitário: 36 mg

FDN337N.pdf