FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

Hersteller: onsemi
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: si
Montageart: SMD/SMT
Gehäuse/Verpackung: ssot-3
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 30 V
Id - Dauer-Drain-Strom: 2,2 A
Rds On - Drain-Source-On-Widerstand: 65 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: -8 V, +8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 400 mV
Qg - Gate-Ladung: 9 nC
Minimale Betriebstemperatur: -55 °C
Maximale Betriebstemperatur: +150 °C
Pd - Verlustleistung: 500 mW
Kanalmodus: Enhancement
Verpackung: Rolle
Verpackung: Gurt
Kapselung: MouseReel
Markenname: onsemi/Fairchild
Konfiguration: Einzel
Abfallzeit: 10 ns
Vorwärtstranskonduktanz - Minimum: 13 S
Höhe: 1,12 mm
Länge: 2,9 mm
Produkt: MOSFET für kleine Signale
Produkttyp: MOSFETs
Anstiegszeit: 10 ns
Serie: FDN 337 n
Unterkategorie: Transistoren
Transistortyp: 1 N-Kanal
Typ: FET
Typische Schließverzögerungszeit: 17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4 ns
Breite: 1,4 mm
Teilenummer-Alias: FDN337N_NL
Einheitsgewicht: 36 mg

FDN337N.pdf