FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

Datos del producto:

Lugar de origen:	Estados Unidos
Nombre de la marca:	onsemi
Número de modelo:	FDN337N

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	1
Precio:	USD 0.01-20/piece
Detalles de empaquetado:	SMD/SMT SSOT-3
Tiempo de entrega:	5-8 días laborables
Condiciones de pago:	T/T

Contacto Ahora Charle

Descripción detallada del producto

Producto:	MOSFET	Estilo de instalación:	SMD/SMT
Paquete/caja:	Se trata de la SSOT-3	Tipo de producto:	Mosfets
Encapsulación:	Carrete, cinta cortada, carrete de ratón	Serie:	FET
Peso unitario:	magnesio 36
Resaltar:	Resistor de polarización SMD para transistor , Resistor de polarización SMT para transistor

Fabricante: onsemi
Categoría de producto: MOSFET
Tecnología: si
Estilo de instalación: SMD/SMT
Paquete/caja: ssot-3
Polaridad del transistor: Canal N
Número de canales: 1 canal
Vds - Tensión de ruptura drenaje-fuente: 30 V
Id - Corriente continua de drenaje: 2.2A
Rds On - Resistencia drenaje-fuente encendido: 65 mOhmios
Vgs - Tensión puerta-fuente: -8 V, +8 V
Vgs th - Tensión umbral puerta-fuente: 400 mV
Qg - Carga de puerta: 9 nC
Temperatura mínima de funcionamiento: -55 C
Temperatura máxima de funcionamiento: +150 C
Pd - Disipación de potencia: 500 mW
Modo de canal: Mejora
Empaquetado: Bobina
Empaquetado: Cinta recortada
Encapsulado: MouseReel
Marca comercial: onsemi/Fairchild
Configuración: Simple
Tiempo de caída: 10 ns
Transconductancia directa - mínima: 13 S
Altura: 1.12 mm
Longitud: 2.9 mm
Producto: MOSFET de señales pequeñas
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 10 ns
Serie: FDN 337 n
Subcategoría: Transistores
Tipo de transistor: 1 Canal N
Tipo: FET
Tiempo típico de retardo de cierre: 17 ns
Tiempo típico de retardo de encendido: 4 ns
Ancho: 1.4 mm
Alias del número de pieza: FDN337N_NL
Peso unitario: 36 mg

etiqueta:

Persona de Contacto: Hefengxin

Teléfono: +8613652326683

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