FDN337N MOSFET SSOT-3 N-CH 30V

Dettagli:

Luogo di origine:	Stati Uniti
Marca:	onsemi
Numero di modello:	FDN337N

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMTSSOT-3
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	MOSFET	Stile di installazione:	SMD/SMT
Pacchetto/scatola:	SSOT-3	Tipo di prodotto:	MOSFET
Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse	Serie:	FET
Peso unitario:	36 mg
Evidenziare:	Resistore di polarizzazione smd transistor , Resistore di polarizzazione smt transistor

Produttore: onsemi
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Pacchetto/scatola: ssot-3
Polarità del transistor: N-Channel
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 30 V.
Id - Corrente di drain continua: 2.2A.
Rds On - Resistenza drain-source on: 65 mOhms
Vgs - Tensione gate-source: -8 V, +8 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 400 mV
Qg - Carica del gate: 9 nC
Temperatura minima di esercizio: -55 C.
Temperatura massima di esercizio: +150 C.
Pd - Dissipazione di potenza: 500 mW
Modalità canale: Enhancement
Confezione: Bobina
Confezione: Nastro tagliato
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: onsemi/Fairchild
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 10 ns
Transconduttanza diretta - minima: 13 S
Altezza: 1,12 mm.
Lunghezza: 2,9 mm
Prodotto: MOSFET Small Signals
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 10 ns
Serie: FDN 337 n
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Tipo: FET
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 17 ns
Tempo di ritardo di attivazione tipico: 4 ns
Larghezza: 1,4 mm
Alias numero parte: FDN337N_NL
Peso unitario: 36 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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