원래 장소: | 중국 |
브랜드 이름: | Diodes Incorporated |
인증: | ISO9001 |
모델 번호: | ZXMN10A07FTA |
최소 주문 수량: | >=2pcs |
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가격: | $1.66 |
포장 세부 사항: | 원래 공장은 표준식으로 포장되는 것 밀봉했습니다 : 튜브, 트레이, 테이프와 릴, 상자, 포대 포장. 또는 당신의 필요에 대한 요청. |
배달 시간: | 0 일 |
지불 조건: | L/C, D/A, D/P, 웨스턴 유니온, T/T, |
공급 능력: | 2-3Days 당 60000 에이커 / 에이커 |
상세한 설명: | MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 | 제품 상태: | 활동가 |
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패키지 / 건: | SOT-23-3 | 기술: | MOSFET(금속 산화물) |
전력 손실(최대): | 625mW (Ta) | 동작 전압 :: | ±20V |
작동 온도 :: | -55°C ~ 150°C(TJ) | 베이스 상품 다수: | ZXMN10 |
강조하다: | 625mW 전자적 부동태 부품,100V 전자적 부동태 부품,ZXMN10A07FTA |
제품 설명
이 MOSFET은 (계속) 온-상태 저항 (RDS를 최소화하도록 설계되었습니다) 그리고 아직 그것을 만들면서, 뛰어난 접속품질을 유지하세요
고효율 전력 관리 어플리케이션에 이상적입니다.
상품 특성
제품 상태
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활동가
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FET은 타이핑합니다
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엔-채널
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기술
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MOSFET (금속 산화물)
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소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요
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100 V
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경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id)
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700mA (Ta)
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구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다)
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6V, 10V
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Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds
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1.5A, 10V에 있는 700mOhm
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Id에 있는 Vgs(th) (맥스)
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250uA에 있는 4V
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게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다
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2.9 10 V에 있는 nC
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브그스 (맥스)
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±20V
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Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스)
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50 V에 있는 138 pF
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FET 특징
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-
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전력 소모 (맥스)
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625mW (Ta)
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작동 온도
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-55' C ~ 150' C (TJ)
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증가하는 타입
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표면 부착
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공급자 소자 패키지
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SOT-23-3
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패키지 / 건
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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베이스 상품 다수
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ZXMN10
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담당자: Tom Guo
전화 번호: +8613822899993
16-비트는 특정 응용 마이크로컨트롤러 SLB9670VQ20FW785XTMA1을 끼워 넣었습니다
원래 도매업자 전자적 IC 칩 XC7K480T-2FFG1156I 1156-bbga ISO9001
조정할 수 있는 프로그램 가능한 IC 칩 NCP380LMUAJAATBG-NCP380-QFN6 전원 스위치 / 운전자 1시 1분 P-채널
프로그래머블 ic 칩 XC7K410T-2FBG676I - 자일링스 - XC7K410 로직 셀 어레이 가족
메모리와 플래쉬 메모리 IC 칩 A3941 SSOP 집적화된 처리 소자 동반자 5.5V-50V명
MT46V64M8P-5B 그것 :J DDR 기억력 IC 512Mbit 대비 200MHz 700Ps 66-tsop
8-비트 16MHz 32KB 프로그램 가능한 IC 칩 STM8S 마이크로컨트롤러 IC 32-LQFP STM8S005K6T6C
32 비트 하나의 핵 컴퓨터 IC은 48MHz 128KB 순간 48-ufqfpn STM32F0 배포자를 자릅니다
AT91SAM7S256D-AU 컴퓨터 IC은 55MHz 32 비트 256KB 플래시 64-lqfp를 자릅니다