Name: ZXMN10A07FTA ηλεκτρονικό παθητικό συστατικό Ν κανάλι 100V 700mA 625mW μέθυσος-23-3
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A07FTA
Price: 1.66 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (181 reviews)

Αρχική Σελίδα Προϊόντα Ηλεκτρονικά παθητικά συστατικά

ZXMN10A07FTA ηλεκτρονικό παθητικό συστατικό Ν κανάλι 100V 700mA 625mW μέθυσος-23-3

Λεπτομέρειες:

Τόπος καταγωγής:	Κίνα
Μάρκα:	Diodes Incorporated
Πιστοποίηση:	ISO9001
Αριθμό μοντέλου:	ZXMN10A07FTA

Πληρωμής & Αποστολής Όροι:

Ποσότητα παραγγελίας min:	>=2pcs
Τιμή:	$1.66
Συσκευασία λεπτομέρειες:	Το αρχικό εργοστάσιο σφράγισε τη συσκευασία με τους τυποποιημένους τύπους: σωλήνας, δίσκος, ταινία κ
Χρόνος παράδοσης:	1-4Work ημέρες
Όροι πληρωμής:	L/C, D/A, D/P, Western Union, T/T,
Δυνατότητα προσφοράς:	60000 στρέμμα/στρέμματα ανά 2-3Days

Επικοινωνία

Λεπτομερής Περιγραφή Προϊόντος

Λεπτομερής περιγραφή:	MOSFET Ν-CH 100V 700MA SOT23-3	Θέση προϊόντων:	Ενεργός
Συσκευασία/περίπτωση:	ΣΩΤ-23-3	Τεχνολογία:	MOSFET (οξείδιο μετάλλου)
Διαρροή ισχύος (Μέγ.):	625mW (TA)	Λειτουργούσα τάση::	±20V
Λειτουργούσα θερμοκρασία::	-55°C ~ 150°C (TJ)	Αριθμός προϊόντων βάσεων:	ZXMN10
Επισημαίνω:	625mW ηλεκτρονικά παθητικά συστατικά , 100V ηλεκτρονικά παθητικά συστατικά , ZXMN10A07FTA

ZXMN10A07FTA N-Channel 100 υποστήριγμα μέθυσος-23-3 επιφάνειας Β 700mA 625mW

Η δίοδος Schottky 100 επιφάνεια Β 1A τοποθετεί τις ενιαίες διόδους MBRS1100T3G διορθωτών SMB

ΠΕΡΙΓΡΑΦΗ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ

Αυτό το MOSFET έχει σχεδιαστεί για να ελαχιστοποιήσει τη -κρατική αντίσταση (RDS (επάνω)) και όμως διατηρήστε την ανώτερη απόδοση μετατροπής, που κάνει την
ιδανικό για τις διοικητικές εφαρμογές δύναμης υψηλής αποδοτικότητας.

ΙΔΙΟΤΗΤΕΣ ΠΡΟΪΟΝΤΩΝ

Θέση προϊόντων	Ενεργός
Τύπος FET	N-Channel
Τεχνολογία	MOSFET (μεταλλικό οξείδιο)
Αγωγός στην τάση πηγής (Vdss)	100 Β
Τρέχων - συνεχής αγωγός (ταυτότητα) @ 25°C	700mA (TA)
Τάση κίνησης (ανώτατο RDS επάνω, λ. RDS επάνω)	6V, 10V
RDS (Max) @ στην ταυτότητα, Vgs	700mOhm @ 1.5A, 10V
Ταυτότητα Vgs (θόριο) (Max) @	4V @ 250µA
Δαπάνη πυλών (Qg) (Max) @ Vgs	2.9 nC @ 10 Β
Vgs (Max)	±20V
Ικανότητα εισαγωγής (Ciss) (Max) @ Vds	138 pF @ 50 Β
Χαρακτηριστικό γνώρισμα FET	-
Διασκεδασμός δύναμης (Max)	625mW (TA)
Λειτουργούσα θερμοκρασία	-55°C ~ 150°C (TJ)
Τοποθετώντας τύπος	Η επιφάνεια τοποθετεί
Συσκευασία συσκευών προμηθευτών	Μέθυσος-23-3
Συσκευασία/περίπτωση	-236-3, SC-59, ΜΈΘΥΣΟΣ-23-3
Αριθμός προϊόντων βάσεων	ZXMN10