Name: Canal N pasivo electrónico 100V 700mA 625mW SOT-23-3 de los componentes de ZXMN10A07FTA
Brand: Diodes Incorporated
SKU: ZXMN10A07FTA
Price: 1.66 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (141 reviews)

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Canal N pasivo electrónico 100V 700mA 625mW SOT-23-3 de los componentes de ZXMN10A07FTA

Datos del producto:

Lugar de origen:	China
Nombre de la marca:	Diodes Incorporated
Certificación:	ISO9001
Número de modelo:	ZXMN10A07FTA

Pago y Envío Términos:

Cantidad de orden mínima:	>=2pcs
Precio:	$1.66
Detalles de empaquetado:	La fábrica original selló el embalaje con los tipos estándar: tubo, bandeja, cinta y carrete, caja,
Tiempo de entrega:	días 1-4Work
Condiciones de pago:	LC, D/A, D/P, Western Union, T/T,
Capacidad de la fuente:	60000 acres/acres por 2-3Days

Contacto

Descripción detallada del producto

Descripción detallada:	MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3	Situación del producto:	Activo
Paquete/caso:	SOT-23-3	Tecnología:	MOSFET (óxido de metal)
Disipación de energía (máx.):	625mW (TA)	Voltaje de funcionamiento::	±20V
Temperatura de funcionamiento::	-55°C ~ 150°C (TJ)	Número bajo del producto:	ZXMN10
Resaltar:	componentes pasivos electrónicos 625mW , componentes pasivos electrónicos 100V , ZXMN10A07FTA

Soporte superficial SOT-23-3 del canal N 100 V 700mA 625mW de ZXMN10A07FTA

Diodo Schottky 100 diodos de rectificadores de SMB del soporte superficial de V 1A solos MBRS1100T3G

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO

Este MOSFET se ha diseñado para minimizar la resistencia del en-estado (el RDS (encendido)) pero mantener el funcionamiento que cambia superior, haciéndolo
ideal para los usos de la gestión del poder de la eficacia alta.

PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	100 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	700mA (TA)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	700mOhm @ 1.5A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	2,9 nC @ 10 V
Vgs (máximo)	±20V
Capacitancia de la entrada (CISS) (máximo) @ Vds	138 PF @ 50 V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	625mW (TA)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	SOT-23-3
Paquete/caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número bajo del producto	ZXMN10

Canal N pasivo electrónico 100V 700mA 625mW SOT-23-3 de los componentes de ZXMN10A07FTA 0

Canal N pasivo electrónico 100V 700mA 625mW SOT-23-3 de los componentes de ZXMN10A07FTA 1

Canal N pasivo electrónico 100V 700mA 625mW SOT-23-3 de los componentes de ZXMN10A07FTA 2

Canal N pasivo electrónico 100V 700mA 625mW SOT-23-3 de los componentes de ZXMN10A07FTA 3

etiqueta:

Componentes pasivos electrónicos bipolares,

Solo rectificador de diodo SMB,

Componentes pasivos electrónicos ajustables

Contacto

STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Persona de Contacto: Tom Guo

Teléfono: +8613822899993

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Diodo Schottky 100 diodos de rectificadores de SMB del soporte superficial de V 1A solos MBRS1100T3G

Componentes pasivos electrónicos bipolares,

Solo rectificador de diodo SMB,