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제품 소개IC 커넥터

2N7002K-7 SOT23 집적 회로 Ic, 이산 반도체 장치는 FET MOSFET을 선발합니다

2N7002K-7 SOT23 집적 회로 Ic, 이산 반도체 장치는 FET MOSFET을 선발합니다

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2N7002K-7 SOT23 집적 회로 Ic, 이산 반도체 장치는 FET MOSFET을 선발합니다
제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: DIODES
인증: ISO9001
모델 번호: 2N7002K-7
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: >=1pcs
가격: ¥6.89
포장 세부 사항: 원래 공장은 표준식으로 포장되는 것 밀봉했습니다 : 튜브, 트레이, 테이프와 릴, 상자, 포대 포장.
배달 시간: 2-3Days
지불 조건: 인수 인도, L/C (신용장), 웨스턴 유니온, D/P (지급도 조건), 머니그램, 전신환
공급 능력: Day+pcs+1-2days 당 100000 에이커 / 에이커
접촉
상세 제품 설명
출력 전원: 표준 규약: 표준
동작 전압: 5V 작동 온도: -55°C ~ 150°C(TJ)
하이 라이트:

SOT23 집적 회로 Ic

,

이산 집적 회로 Ic

,

2N7002K-7

2N7002K-7 SOT23 이산 반도체 한 개의 FET, MOSFET 브랜드 뉴와 원래 집적 회로 칩

 

제품 설명

 

부품번호 2N7002K-7은 DIODES에 의해 제조되고 스트제이케이에 의해 분배됩니다. 전자 제품의 주요 공급자들 중 하나로서, 우리는 많은 전자 부품을 세계의 최고 제조업체들에서 나릅니다.

 

2N7002K-7에 대한 더 많은 정보를 위해 상술, 인용, 생산 소요 시간, 지불 기간을 상술했고, 우리와 연락하기를 더 미안하지만, 주저하지 않습니다. 미안하지만, 당신의 조회를 처리하기 위해 양 2N7002K-7을 당신의 메시지에 더합니다. 지금 이메일을 인용문을 위한 stjkelec@hotmail.com에게 보내세요.

 

상품 특성

 

제품 상태
활동가
FET은 타이핑합니다
엔-채널
기술
MOSFET (금속 산화물)
소스 전압 (프즈스)에 고갈되세요
60 V
경향 - 25' C에 있는 연속배수 (Id)
380mA (Ta)
구동 전압 (Rds를에 민 Rds에 최대한으로 씁니다)
5V, 10V
Id, 브그스에 있는 (맥스) 위의 Rds
500mA, 10V에 있는 2Ohm
Id에 있는 Vgs(th) (맥스)
1mA에 있는 2.5V
게이트는 브그스에 (큐그에게) (맥스)를 청구합니다
0.3 4.5 V에 있는 nC
브그스 (맥스)
±20V
Vds에 있는 입력 커패시턴스 (CIS) (맥스)
25 V에 있는 50 pF
FET 특징
-
전력 소모 (맥스)
370mW (Ta)
작동 온도
-55' C ~ 150' C (TJ)
증가하는 타입
표면 부착
공급자 소자 패키지
SOT-23-3
패키지 / 건
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
베이스 상품 다수
2N7002

 

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연락처 세부 사항
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

담당자: Tom Guo

전화 번호: +8613822899993

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