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Circuit intégré IC, transistor MOSFET de 2N7002K-7 SOT23 de FET simple discret de dispositifs de semi-conducteur

Circuit intégré IC, transistor MOSFET de 2N7002K-7 SOT23 de FET simple discret de dispositifs de semi-conducteur

  • Circuit intégré IC, transistor MOSFET de 2N7002K-7 SOT23 de FET simple discret de dispositifs de semi-conducteur
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Circuit intégré IC, transistor MOSFET de 2N7002K-7 SOT23 de FET simple discret de dispositifs de semi-conducteur
Détails sur le produit:
Lieu d'origine: La Chine
Nom de marque: DIODES
Certification: ISO9001
Numéro de modèle: 2N7002K-7
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: >=1pcs
Prix: ¥6.89
Détails d'emballage: L'usine originale du joint la garniture avec les types standard : tube, plateau, bande et bobine, bo
Délai de livraison: 2-3Days
Conditions de paiement: D/A, L/C, Western Union, D/P, MoneyGram, T/T
Capacité d'approvisionnement: 100000 acres/acres par Day+pcs+1-2days
Contact
Description de produit détaillée
De puissance de sortie: Norme Protocole: Norme
Tension d'opération: 5V Température de fonctionnement: -55°C ~ 150°C (TJ)
Surligner:

SOT23 circuit intégré IC

,

Circuit intégré discret IC

,

2N7002K-7

Puce toute neuve et originale simple de FET, de transistor MOSFET de semi-conducteur discret de 2N7002K-7 SOT23 de circuit intégré

 

DESCRIPTION DE PRODUIT

 

Le numéro de la pièce 2N7002K-7 est fabriqué par des DIODES et distribué par Stjk. En tant qu'un des principaux distributeurs des produits électroniques, nous portons beaucoup de composants électroniques des fabricants supérieurs du monde.

 

Pour plus d'informations sur les spécifications détaillées 2N7002K-7, les citations, des délais d'exécution, conditions de paiement et plus, veuillez ne pas hésiter à nous contacter. Afin de traiter votre enquête, ajoutez svp la quantité 2N7002K-7 à votre message. Envoyez un email à stjkelec@hotmail.com pour une citation maintenant.

 

PROPRIÉTÉS DE PRODUIT

 

Statut de produit
Actif
Type de FET
N-canal
Technologie
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vidangez à la tension de source (Vdss)
60 V
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C
380mA (ventres)
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Identification de Vgs (Th) (maximum) @
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs
0,3 OR @ 4,5 V
Vgs (maximum)
±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds
50 PF @ 25 V
Caractéristique de FET
-
Dissipation de puissance (maximum)
370mW (ventres)
Température de fonctionnement
-55°C | 150°C (TJ)
Montage du type
Bâti extérieur
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-23-3
Paquet/cas
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Nombre bas de produit
2N7002

 

Circuit intégré IC, transistor MOSFET de 2N7002K-7 SOT23 de FET simple discret de dispositifs de semi-conducteur 0

Circuit intégré IC, transistor MOSFET de 2N7002K-7 SOT23 de FET simple discret de dispositifs de semi-conducteur 1

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Coordonnées
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Personne à contacter: Tom Guo

Téléphone: +8613822899993

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