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2N7002K-7 SOT23の集積回路IC、分離した半導体デバイス単一FET MOSFET

2N7002K-7 SOT23の集積回路IC、分離した半導体デバイス単一FET MOSFET

  • 2N7002K-7 SOT23の集積回路IC、分離した半導体デバイス単一FET MOSFET
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2N7002K-7 SOT23の集積回路IC、分離した半導体デバイス単一FET MOSFET
商品の詳細:
起源の場所: 中国
ブランド名: DIODES
証明: ISO9001
モデル番号: 2N7002K-7
お支払配送条件:
最小注文数量: >=1pcs
価格: ¥6.89
パッケージの詳細: 元の工場は標準的なタイプが付いているパッキングを密封した:管、皿、テープおよび巻き枠の箱、袋のパッキング。
受渡し時間: 2-3Days
支払条件: D/A、L/C、ウェスタン・ユニオン、D/P、MoneyGram、T/T
供給の能力: Day+pcs+1-2daysごとの100000のエーカー/エーカー
連絡先
詳細製品概要
出力電力: 標準 プロトコル: 標準
作動の電圧: 5V 実用温度: -55℃~150℃(TJ)
ハイライト:

SOT23集積回路IC

,

分離した集積回路IC

,

2N7002K-7

2N7002K-7 SOT23の分離した半導体単一FET、MOSFETの真新しく、オリジナルの集積回路の破片

 

製品の説明

 

部品番号2N7002K-7はダイオードによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。

 

2N7002K-7のより多くの情報のために詳細仕様、引用語句を、調達期間、支払の言葉を、もっと、私達に連絡することを躊躇してはいけない。あなたの照会を処理するためには、あなたのメッセージに量2N7002K-7を加えなさい。引用のためのstjkelec@hotmail.comに電子メールを今送りなさい。

 

プロダクト特性

 

プロダクト状態
活動的
FETのタイプ
N-Channel
技術
MOSFET (金属酸化物)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
60ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
380mA (Ta)
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds)
5V、10V
(最高) @ ID、VgsのRds
2Ohm @ 500mA、10V
Vgs ((最高) Th) @ ID
2.5V @ 1mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
0.3 NC @ 4.5ボルト
Vgs (最高)
±20V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
50 pF @ 25ボルト
FETの特徴
-
電力損失(最高)
370mW (Ta)
実用温度
-55°C | 150°C (TJ)
タイプの取付け
表面の台紙
製造者装置パッケージ
SOT-23-3
パッケージ/場合
TO-236-3、SC-59、SOT-23-3
基礎プロダクト数
2N7002

 

2N7002K-7 SOT23の集積回路IC、分離した半導体デバイス単一FET MOSFET 0

2N7002K-7 SOT23の集積回路IC、分離した半導体デバイス単一FET MOSFET 1

2N7002K-7 SOT23の集積回路IC、分離した半導体デバイス単一FET MOSFET 2

2N7002K-7 SOT23の集積回路IC、分離した半導体デバイス単一FET MOSFET 3

連絡先の詳細
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

コンタクトパーソン: Tom Guo

電話番号: +8613822899993

私達に直接お問い合わせを送信
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