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Circuito integrado CI de 2N7002K-7 SOT23, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único

Circuito integrado CI de 2N7002K-7 SOT23, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único

  • Circuito integrado CI de 2N7002K-7 SOT23, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único
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Circuito integrado CI de 2N7002K-7 SOT23, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único
Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: DIODES
Certificação: ISO9001
Número do modelo: 2N7002K-7
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: >=1pcs
Preço: ¥6.89
Detalhes da embalagem: A fábrica original selou a embalagem com tipos padrão: tubo, bandeja, fita e carretel, caixa, embala
Tempo de entrega: 2-3Days
Termos de pagamento: D/A, L/C, Western Union, D/P, MoneyGram, T/T
Habilidade da fonte: 100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Contato
Descrição de produto detalhada
Potência de saída: Padrão Protocolo: Padrão
Tensão de funcionamento: 5V Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 150°C(TJ)
Realçar:

SOT23 circuito integrado CI

,

Circuito integrado discreto CI

,

2N7002K-7

Microplaqueta brandnew e original do FET, do MOSFET do semicondutor discreto de 2N7002K-7 SOT23 única do circuito integrado

 

DESCRIÇÃO DO PRODUTO

 

A número da peça 2N7002K-7 é fabricada por DIODOS e distribuída por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.

 

Para obter mais informações sobre de 2N7002K-7 detalhou especificações, cotações, prazos de execução, termos do pagamento e mais, por favor não hesite contactar-nos. A fim processar seu inquérito, adicione por favor a quantidade 2N7002K-7 a sua mensagem. Envie um e-mail a stjkelec@hotmail.com para umas citações agora.

 

PROPRIEDADES DO PRODUTO

 

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
60 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
380mA (Ta)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
2Ohm @ 500mA, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
2.5V @ 1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
0,3 nC @ 4,5 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade da entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
50 PF @ 25 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
370mW (Ta)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
SOT-23-3
Pacote/caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número baixo do produto
2N7002

 

Circuito integrado CI de 2N7002K-7 SOT23, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único 0

Circuito integrado CI de 2N7002K-7 SOT23, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único 1

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Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Pessoa de Contato: Tom Guo

Telefone: +8613822899993

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