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BSL207N H6327 MOSFET 小信号+P-CH SMD/SMT 2チャネル強化 BSL207

BSL207N H6327 MOSFET 小信号+P-CH SMD/SMT 2チャネル強化 BSL207

商品の詳細:
起源の場所: ドイツ
ブランド名: Infineon
モデル番号: BSL207N H6327
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最小注文数量: 1
価格: USD 0.01-20/piece
パッケージの詳細: SMD/SMT TSOP-6
受渡し時間: 5~8営業日
支払条件: T/T
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詳細製品概要
製品: MOSFET インストールスタイル: SMD/SMT
パッケージ/ボックス: TSOP-6 カプセル化: リール,カットテープ,マウスリール
製品タイプ: GaN FET シリーズ: BSL207
単重: 20mg
ハイライト:

SMDバイアス抵抗トランジスタ

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SMTバイアス抵抗トランジスタ

メーカー:インフィニオン
製品カテゴリ:MOSFET
テクノロジー: yes
設置スタイル:SMD/SMT
パッケージ/箱:TSOP-6
トランジスタの極度:Nチャンネル
チャンネル数: 2チャンネル
Vds-ドレイン・ソース断熱電圧: 20V
Id-連続流出電流: 2.1a
抵抗のRdsオン-ドレインソース: 58mAhms, 58mAhms.
Vgsゲート・ソース電圧: - 12V+12V
Vgs ゲート・ソースの限界電圧: 700 mV
Qgゲート充電: 2.1 nC
最低動作温度:-55°C
最大動作温度:+150°C
Pd-電力の消耗: 500mw
チャンネルモード: 強化
パッケージ:リール
パッケージ: カッタップ
カプセル: マウスリール
商標:インフィニオン・テクノロジーズ
配置: 双重
下降時間: 2.4 ns, 2.4 ns
前向トランスコンダクタンス最小: 7 S, 7 S
高さ: 1.1 mm
長さ: 3mm
製品タイプ:MOSFET
上昇時間:2.8 ns,2.8 ns
シリーズ:BSL207
サブカテゴリ:トランジスタ
トランジスタタイプ: 2 Nチャネル
典型的な閉じる遅延時間: 11 ns, 11 ns
典型的なオンアップ遅延時間: 5.4 ns, 5.4 ns
幅: 1.5 mm
パート番号 アリアス: sp001100648bsl207nh6327xtsa1.
単位重量: 20 mg

BSL207N H6327.pdf

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