BSL207N H6327 MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH SMD/SMT 2 Channel Enhancement BSL207

Producent: Infineon
Kategoria produktu: MOSFET
Technologia: si
Styl instalacji: SMD/SMT
Opakowanie/sklatka: TSOP-6
Polaryzacja tranzystora: N-kanał
Liczba kanałów: 2 kanały
napięcie awaryjne źródła odpływu: 20 V.
Id - ciągły prąd odpływowy: 2.1a.
RDS na źródle odpływu na oporze: 58 mAhm, 58 mAhm.
napięcie źródła bramy Vgs: - 12 V+,12 V
Vgs th- napięcie progowe źródła bramy: 700 mV
Ładunek Qg-gate: 2,1 nC
Minimalna temperatura pracy: -55 °C.
Maksymalna temperatura pracy: +150 C.
Pd- rozpraszanie mocy: 500 MW
Tryb kanału: wzmocnienie
Opakowanie: Węzeł
Opakowanie: strzykawka
Kapsuła: MouseReel
Znak towarowy: Infineon Technologies
Konfiguracja: podwójna
Czas schodzenia: 2,4 ns, 2,4 ns
Minimalna przewodność naprzód: 7 S, 7 S
Wysokość: 1,1 mm
Długość: 3 mm
Rodzaj produktu: MOSFETy
Czas wzrostu: 2,8 ns, 2,8 ns
Seria: BSL207
Podkategoria: Tranzystory
Typ tranzystora: 2 N-kanału
Typowy czas opóźnienia zamknięcia: 11 ns, 11 ns
Typowy czas opóźnienia włączenia: 5,4 ns, 5,4 ns
Szerokość: 1,5 mm
Numer części alias: sp001100648bsl207nh6327xtsa1.
Masę jednostkową: 20 mg

BSL207N H6327