BSL207N H6327 MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH SMD/SMT 2 canale di potenziamento BSL207

Dettagli:

Luogo di origine:	Germania
Marca:	Infineon
Numero di modello:	BSL207N H6327

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMTTSOP-6
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	MOSFET	Stile di installazione:	SMD/SMT
Pacchetto/scatola:	TSOP-6	Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse
Tipo di prodotto:	FET GaN	Serie:	BSL207
Peso unitario:	20 mg
Evidenziare:	Resistore di polarizzazione smd transistor , Resistore di polarizzazione smt transistor

Produttore: Infineon
Categoria di prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Tipo di installazione: SMD/SMT
Imballaggio/scatola: TSOP-6
Polarità del transistor: canale N
Numero di canali: 2
Voltaggio di rottura della fonte di scarico VDS: 20 V.
Id- corrente di scarico continua: 2.1a.
Rds On-drain-source sulla resistenza: 58 mAhm, 58 mAhm.
Tensione di sorgente Vgs-gate: - 12 V+,12 V
Vgs th- tensione di soglia della sorgente di porta: 700 mV
Carica Qg-gate: 2,1 nC
Temperatura minima di funzionamento: -55 °C.
Temperatura massima di funzionamento: + 150 C.
Pd- dissipazione di potenza: 500 MW
Modalità canale: potenziamento
Confezione: bobina
Imballaggio: cuttape
Incapsulazione: MouseReel
Marchio: Infineon Technologies
Configurazione: doppia
Tempo di discesa: 2,4 ns, 2,4 ns
Trasconduttanza verso l'alto minima: 7 S, 7 S
Altezza: 1,1 mm
Lunghezza: 3 mm
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di risalita: 2,8 ns, 2,8 ns
Serie: BSL207
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 2 canali N
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 11 ns, 11 ns
Tempo di ritardo tipico di accensione: 5,4 ns, 5,4 ns
Larghezza: 1,5 mm
Numero di parte alias: sp001100648bsl207nh6327xtsa1.
Peso unitario: 20 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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