शेन्ज़ेन हेफेंगक्सिन टेक्नोलॉजी कंपनी लिमिटेड।
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| उत्पत्ति के प्लेस: | जापान |
| ब्रांड नाम: | ROHM Semiconductor |
| मॉडल संख्या: | RTE002P02 |
| न्यूनतम आदेश मात्रा: | 10 |
|---|---|
| मूल्य: | USD 0.01-20/piece |
| पैकेजिंग विवरण: | एसएमडी/एसएमटी एसओटी-23-3 |
| प्रसव के समय: | 5-8 कार्य दिवस |
| भुगतान शर्तें: | टी/टी |
| स्थापना शैली: | एसएमडी/एसएमटी | तकनीकी: | साई |
|---|---|---|---|
| उपश्रेणी: | ट्रांजिस्टर | ||
| प्रमुखता देना: | 200ma पूर्वाग्रह प्रतिरोधक ट्रांजिस्टर,एसएमडी बायस रेसिस्टर ट्रांजिस्टर |
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निर्माता: ROHM सेमीकंडक्टर
उत्पाद श्रेणी: MOSFET
प्रौद्योगिकी: si
स्थापना शैली: SMD/SMT
पैकेज/बॉक्स: SOT-23-3
ट्रांजिस्टर ध्रुवता: p-चैनल
चैनलों की संख्या: 1 चैनल
Vds- ड्रेन-सोर्स ब्रेकडाउन वोल्टेज: 20 V
Id- निरंतर ड्रेन करंट: 200mA
Rds ऑन- ड्रेन-सोर्स ऑन प्रतिरोध: 1 ओम
Vgs-गेट-सोर्स वोल्टेज: - 12 V, +12 V
Vgs th- गेट-सोर्स थ्रेसहोल्ड वोल्टेज: 2 V
न्यूनतम परिचालन तापमान: -55 C
अधिकतम परिचालन तापमान: +150 C
Pd- बिजली अपव्यय: 150 mW
चैनल मोड: एन्हांसमेंट
पैकेज: रील
ट्रेडमार्क: ROHM सेमीकंडक्टर
विन्यास: सिंगल
अवरोहण समय: 6 ns
ऊंचाई: 0.7 मिमी
लंबाई: 1.6 मिमी
उत्पाद: MOSFET छोटे सिग्नल
उत्पाद प्रकार: MOSFETs
उदय समय: 6 ns
श्रृंखला: RTE002P02
3000
उपश्रेणी: ट्रांजिस्टर
ट्रांजिस्टर प्रकार: 1 P-चैनल
प्रकार: MOSFET
विशिष्ट समापन विलंब समय: 35 ns
विशिष्ट टर्न-ऑन विलंब समय: 9 ns
चौड़ाई: 0.8 मिमी
पार्ट नंबर alias: RTE002P02
यूनिट वजन: 8 मिलीग्राम
व्यक्ति से संपर्क करें: Hefengxin
दूरभाष: +8613652326683
