| Lieu d'origine: | JAPON |
| Nom de marque: | ROHM Semiconductor |
| Numéro de modèle: | RTE002P02 |
| Quantité de commande min: | 10 |
|---|---|
| Prix: | USD 0.01-20/piece |
| Détails d'emballage: | CMS/CMS SOT-23-3 |
| Délai de livraison: | 5-8 jours ouvrables |
| Conditions de paiement: | T/T |
| Style d'installation: | SMD / SMT | Technologie: | SI |
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| Sous-catégorie: | Transistors | ||
| Mettre en évidence: | Transistor à résistance de polarisation 200mA,Résistance de polarisation SMD pour transistor |
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Fabricant : ROHM Semiconductor
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20 V
Id - Courant de drain continu : 200 mA
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 1 Ohms
Vgs - Tension grille-source : -12 V, +12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2 V
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 150 mW
Mode de canal : Amélioration
Emballage : Bobine
Marque : ROHM Semiconductor
Configuration : Simple
Temps de descente : 6 ns
Hauteur : 0,7 mm
Longueur : 1,6 mm
Produit : MOSFET petits signaux
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 6 ns
Série : RTE002P02
3000
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 canal P
Type : MOSFET
Temps de retard de fermeture typique : 35 ns
Temps de retard d'activation typique : 9 ns
Largeur : 0,8 mm
Alias de numéro de pièce : RTE002P02
Poids unitaire : 8 mg
Personne à contacter: Hefengxin
Téléphone: +8613652326683