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Aperçu Produitstransistor à résistance de polarisation

RTE002P02 MOSFET MOSFETs Transistors 20V 200MA SOT416

RTE002P02 MOSFET MOSFETs Transistors 20V 200MA SOT416

Détails sur le produit:
Lieu d'origine: JAPON
Nom de marque: ROHM Semiconductor
Numéro de modèle: RTE002P02
Conditions de paiement et expédition:
Quantité de commande min: 10
Prix: USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage: CMS/CMS SOT-23-3
Délai de livraison: 5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement: T/T
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Description de produit détaillée
Style d'installation: SMD / SMT Technologie: SI
Sous-catégorie: Transistors
Mettre en évidence:

Transistor à résistance de polarisation 200mA

,

Résistance de polarisation SMD pour transistor

Fabricant : ROHM Semiconductor
Catégorie de produit : MOSFET
Technologie : si
Style d'installation : SMD/SMT
Boîtier/emballage : SOT-23-3
Polarité du transistor : canal P
Nombre de canaux : 1 canal
Vds - Tension de claquage drain-source : 20 V
Id - Courant de drain continu : 200 mA
Rds On - Résistance drain-source à l'état passant : 1 Ohms
Vgs - Tension grille-source : -12 V, +12 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source : 2 V
Température de fonctionnement minimale : -55 °C
Température de fonctionnement maximale : +150 °C
Pd - Dissipation de puissance : 150 mW
Mode de canal : Amélioration
Emballage : Bobine
Marque : ROHM Semiconductor
Configuration : Simple
Temps de descente : 6 ns
Hauteur : 0,7 mm
Longueur : 1,6 mm
Produit : MOSFET petits signaux
Type de produit : MOSFET
Temps de montée : 6 ns
Série : RTE002P02
3000
Sous-catégorie : Transistors
Type de transistor : 1 canal P
Type : MOSFET
Temps de retard de fermeture typique : 35 ns
Temps de retard d'activation typique : 9 ns
Largeur : 0,8 mm
Alias de numéro de pièce : RTE002P02
Poids unitaire : 8 mg

RTE002P02.pdf

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