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Casa Prodottitransistor con resistenza di polarizzazione

RTE002P02 MOSFET MOSFET Transistor 20V 200MA SOT416

RTE002P02 MOSFET MOSFET Transistor 20V 200MA SOT416

Dettagli:
Luogo di origine: GIAPPONE
Marca: ROHM Semiconductor
Numero di modello: RTE002P02
Termini di pagamento e spedizione:
Quantità di ordine minimo: 10
Prezzo: USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari: SMD/SMT SOT-23-3
Tempi di consegna: 5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento: T/T
Contatto Ora chiacchieri
Descrizione di prodotto dettagliata
Stile di installazione: SMD/SMT Tecnologia: Si
Sottocategoria: Transistor
Evidenziare:

Transistor con resistore di polarizzazione 200mA

,

Resistore di polarizzazione smd transistor

Produttore: ROHM Semiconductor
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di installazione: SMD/SMT
Package/box: SOT-23-3
Polarità del transistor: canale P
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura drain-source: 20 V
Id - Corrente di drain continua: 200 mA
Rds On - Resistenza drain-source on: 1 Ohm
Vgs - Tensione gate-source: -12 V, +12 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 2 V
Temperatura minima di esercizio: -55 C
Temperatura massima di esercizio: +150 C
Pd - Dissipazione di potenza: 150 mW
Modalità canale: Enhancement
Package: Reel
Marchio: ROHM Semiconductor
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 6 ns
Altezza: 0,7 mm
Lunghezza: 1,6 mm
Prodotto: MOSFET Small Signals
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 6 ns
Serie: RTE002P02
3000
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 P-Channel
Tipo: MOSFET
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 35 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 9 ns
Larghezza: 0,8 mm
Alias numero parte: RTE002P02
Peso unitario: 8 mg

RTE002P02.pdf

Dettagli di contatto
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Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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