โทร:
พูดคุยกันตอนนี้
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.

บริษัท เซินเจิ้น เหอเฟิงซิน เทคโนโลยี จำกัด

บ้าน ผลิตภัณฑ์

ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ

ผลิตภัณฑ์ทั้งหมด
ไอซีวงจรรวม (201)
ตัวเก็บประจุเซรามิกหลายชั้น (833)
ยืนยันแผ่นหนา (29)
ตัวเหนี่ยวนำความถี่สูง (73)
ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ (241)
ไดโอด์ป้องกัน ESD (95)
ไดโอด สกปรก Rectifier (103)
ทรานซิสเตอร์มอสเฟต (13)
อุปกรณ์ป้องกันไฟกระชากไทริสเตอร์ (20)
ตัวควบคุมการออกกลางคันต่ำ (28)
ไบโพลาร์จังก์ชั่นทรานซิสเตอร์ (15)
สนทนาออนไลน์ตอนนี้ฉัน
PI4ULS3V204LEX ระดับแรงดันไฟฟ้าแปลงสัญญาณแบบสองทิศทาง 1.1-3.6V
PI4ULS3V204LEX ระดับแรงดันไฟฟ้าแปลงสัญญาณแบบสองทิศทาง 1.1-3.6V
Video
ทรานซิสเตอร์พร้อมตัวต้านทานไบอัส UMC5N แบบดิจิทัล 2 ช่อง ประหยัดพื้นที่
ทรานซิสเตอร์พร้อมตัวต้านทานไบอัส UMC5N แบบดิจิทัล 2 ช่อง ประหยัดพื้นที่
Video
DDTA115GE การติดตั้งทรานซิสเตอร์ไบแอสตัวต้านทานแบบเดี่ยว PNP SMD/SMT
DDTA115GE การติดตั้งทรานซิสเตอร์ไบแอสตัวต้านทานแบบเดี่ยว PNP SMD/SMT
Video
ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล DCX114EH พร้อมตัวต้านทานไบอัส ความน่าเชื่อถือสูง ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล 100mA
ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล DCX114EH พร้อมตัวต้านทานไบอัส ความน่าเชื่อถือสูง ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล 100mA
Video
ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล ADTA114ECAQ-7 PNP พร้อมไบอัสล่วงหน้า สัญญาณขนาดเล็ก
ทรานซิสเตอร์ดิจิทัล ADTA114ECAQ-7 PNP พร้อมไบอัสล่วงหน้า สัญญาณขนาดเล็ก
Video
1 2 3 4 5

ทรานซิสเตอร์ตัวต้านทานอคติ

(241)
CMPDM7002AE TR PBFREE มอสเฟต SMD ขนาดเล็ก Sig มอสเฟต โหมด N-Channel Enh
Video

CMPDM7002AE TR PBFREE มอสเฟต SMD ขนาดเล็ก Sig มอสเฟต โหมด N-Channel Enh
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Central Semiconductor หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต เทคโนโลยี: si รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: SOT-23 ขั้วทรานซิสเตอร์: N-Channel จำนวนช่อง: 1 ช่อง Vds - แรงดันไฟฟ้าพังทลายของ Drain-source: 60 V ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:54
CMPDM7003AG TR PBFREE MOSFET N-Ch Enh โหมด FET 50Vds 50Vdg 350pD
Video

CMPDM7003AG TR PBFREE MOSFET N-Ch Enh โหมด FET 50Vds 50Vdg 350pD
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: เซ็นทรัล semiconductorประเภทสินค้า: MOSFETเทคโนโลยี:สไตล์การติดตั้ง: SMD/SMTกล่อง/กล่อง: SOT-23ความขั้วของทรานซิสเตอร์: N-Channelจํานวนช่อง: 1 ช่องVds- ความดันการตัดของแหล่งระบายน้ํา: 50 VId-กระแสการออ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:54
CMPDM7002AG TR PBFREE มอสเฟต N-Ch Enh Mode FET 60Vds 60Vdg 40Vgs
Video

CMPDM7002AG TR PBFREE มอสเฟต N-Ch Enh Mode FET 60Vds 60Vdg 40Vgs
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Central Semiconductor หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต เทคโนโลยี: si รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: SOT-23 ขั้วทรานซิสเตอร์: N-Channel จำนวนช่อง: 1 ช่อง Vds - แรงดันไฟฟ้าพังทลายของ Drain-source: 60 V ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:54
SLVU2.8-TP ไดโอ้ดป้องกัน ESD / ไดโอ้ด TVS 500W, 2.8V
Video

SLVU2.8-TP ไดโอ้ดป้องกัน ESD / ไดโอ้ด TVS 500W, 2.8V
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: องค์ประกอบธุรกิจขนาดเล็ก (MCC)ประเภทสินค้า: ไดโอ้ดป้องกัน ESD / ไดโอ้ด TVSPolarity: มุมเดียวจํานวนช่อง: 1 ช่องความดันการทํางาน: 2.8 vประเภทการปิด: SMD/SMTความดันการกั้น: 8 Vความดันการตัด: 3 Vกล่อง/กล่อ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:54
CMF90A TR PBFREE ไดโอดป้องกัน ESD / ไดโอด TVS แบบทิศทางเดียว 200 วัตต์ 100 ถึง 111 โวลต์
Video

CMF90A TR PBFREE ไดโอดป้องกัน ESD / ไดโอด TVS แบบทิศทางเดียว 200 วัตต์ 100 ถึง 111 โวลต์
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Central Semiconductor หมวดหมู่สินค้า: ไดโอดป้องกัน ESD / ไดโอด TVS ขั้ว: ทิศทางเดียว จำนวนช่อง: 1 ช่อง แรงดันใช้งาน: 90 V ประเภทการสิ้นสุด: SMD/SMT แรงดันยึด: 146 V แรงดันพังทลาย: 100 V กระแสพัลส์สูงสุ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:54
SI3442BDV-T1-GE3 มอสเฟต 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
Video

SI3442BDV-T1-GE3 มอสเฟต 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต เทคโนโลยี: si รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: TSOP-6 ชื่อทางการค้า: TrenchFET แพ็คเกจ: Reel แพ็คเกจ: cuttape การห่อหุ้ม: MouseReel เครื่องหมายการค้า: Vishay... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:54
ไดโอดป้องกัน ESD CDDFN2-T4.7C / ไดโอด TVS 4.7v แบบสองทิศทาง ความจุต่ำ
Video

ไดโอดป้องกัน ESD CDDFN2-T4.7C / ไดโอด TVS 4.7v แบบสองทิศทาง ความจุต่ำ
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Bourns หมวดหมู่สินค้า: ไดโอดป้องกัน ESD / ไดโอด TVS ขั้ว: สองทิศทาง จำนวนช่อง: 1 ช่อง แรงดันใช้งาน: 5 V ประเภทการสิ้นสุด: SMD/SMT แรงดันยึด: 15 V แรงดันพังทลาย: 5.1 V แพ็คเกจ/กล่อง: DFN-2 กระแสพัลส์สูง... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:54
SI3442CDV-T1-GE3 มอสเฟต ที่แนะนำ ALT SI34
Video

SI3442CDV-T1-GE3 มอสเฟต ที่แนะนำ ALT SI34
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต เทคโนโลยี: si รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: TSOP-6 ชื่อทางการค้า: TrenchFET แพ็คเกจ: Reel แพ็คเกจ: cuttape การห่อหุ้ม: MouseReel เครื่องหมายการค้า: Vishay ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:54
SI3442BDV-T1-GE3 มอสเฟต 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
Video

SI3442BDV-T1-GE3 มอสเฟต 20V 4.2A 1.67W 57mohm @ 4.5V
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: Vishay หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต เทคโนโลยี: si รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: TSOP-6 ชื่อทางการค้า: TrenchFET แพ็คเกจ: Reel แพ็คเกจ: cuttape การห่อหุ้ม: MouseReel เครื่องหมายการค้า: Vishay... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:54
FDJ127P มอสเฟต P-Ch -1.8 Vgs Spec PowerTrench
Video

FDJ127P มอสเฟต P-Ch -1.8 Vgs Spec PowerTrench
พูดคุยกันตอนนี้ ติดต่อ

ผู้ผลิต: onsemi หมวดหมู่สินค้า: มอสเฟต เทคโนโลยี: si รูปแบบการติดตั้ง: SMD/SMT แพ็คเกจ/กล่อง: SC-75-6 ขั้วทรานซิสเตอร์: p-channel จำนวนช่องสัญญาณ: 1 ช่องสัญญาณ Vds - แรงดันไฟฟ้าพังทลายของดrain-source: 20 V Id - ... อ่านเพิ่มเติม
2025-11-06 17:57:54
Page 11 of 25|< 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 >|
Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.
9D, ชั้น 9, อาคาร A, Modern Window, ถนน Huaqiang North, เขต Futian, เซินเจิ้น
โทร:0755-23933424
นโยบายความเป็นส่วนตัว ｜ ประเทศจีน ดี คุณภาพ ไอซีวงจรรวม ผู้ผลิต. © 2025 Shenzhen Hefengxin Technology Co., Ltd.. All Rights Reserved.