SI2323DDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Detalhes do produto:

Lugar de origem:	Estados Unidos
Marca:	Vishay
Número do modelo:	O sistema de controlo de emissões deve ser equipado com um sistema de controlo de emissões de gases

Condições de Pagamento e Envio:

Quantidade de ordem mínima:	1
Preço:	USD 0.01-20/piece
Detalhes da embalagem:	SMD/SMT SOT-23-3
Tempo de entrega:	5-8 dias úteis
Termos de pagamento:	T/T

Contato Converse agora

Descrição de produto detalhada

Produto:	MOSFET	Estilo de instalação:	SMD/SMT
Pacote/caixa:	SOT-23-3	Encapsulamento:	Carretel, fita cortada, MouseReel
Tipo de produto:	MOSFETS	Série:	SI2
Peso unitário:	magnésio 8
Destacar:	small Diode Schottky Rectifier , high efficiency Diode Schottky Rectifier

Manufacturer: Vishay
Product category: MOSFET
Technology: si
Installation style: SMD/SMT
Package/box: SOT-23-3
Transistor polarity: p-channel
Number of channels: 1 Channel
Vds- drain-source breakdown voltage: 20 V.
Id- continuous drain current: 5.3a.
Rds On- drain-source on resistance: 39 mOhms
Vgs-gate-source voltage: - 8 V,+8 V
Vgs th- gate-source threshold voltage: 1 V
Qg- gate charge: 13.6 nC
Minimum operating temperature:-55 C.
Maximum operating temperature:+150 C.
Pd- power dissipation: 1.7 W
Channel mode: Enhancement
Trade name: TrenchFET
Package: Reel
Package: cuttape
Encapsulation: MouseReel
Trademark: Vishay Semiconductors
Configuration: Single
Descending time: 11 ns
Height: 1.45 mm
Length: 2.9 mm
Product type: MOSFETs
Rise time: 22 ns
Series: SI2
Subcategory: Transistors
Transistor type: 1 P-Channel
Typical closing delay time: 52 ns
Typical turn-on delay time: 24 ns
Width: 1.6 mm
Part number alias: si2323dds-t1-be3
Unit weight: 8 mg

SI2323DDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23 0

etiqueta:

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Telefone: +8613652326683

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