SI2323DDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23

Détails sur le produit:

Lieu d'origine:	États-Unis
Nom de marque:	Vishay
Numéro de modèle:	Les données de référence doivent être fournies à l'autorité compétente.

Conditions de paiement et expédition:

Quantité de commande min:	1
Prix:	USD 0.01-20/piece
Détails d'emballage:	CMS/CMS SOT-23-3
Délai de livraison:	5-8 jours ouvrables
Conditions de paiement:	T/T

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Description de produit détaillée

Produit:	Transistor MOSFET	Style d'installation:	SMD / SMT
Package / boîte:	SOT-23-3	Encapsulation:	Bobine, ruban coupé, bobine de souris
Type de produit:	Mosfets	Série:	SI2
Poids unitaire:	mg 8
Mettre en évidence:	small Diode Schottky Rectifier , high efficiency Diode Schottky Rectifier

Manufacturer: Vishay
Product category: MOSFET
Technology: si
Installation style: SMD/SMT
Package/box: SOT-23-3
Transistor polarity: p-channel
Number of channels: 1 Channel
Vds- drain-source breakdown voltage: 20 V.
Id- continuous drain current: 5.3a.
Rds On- drain-source on resistance: 39 mOhms
Vgs-gate-source voltage: - 8 V,+8 V
Vgs th- gate-source threshold voltage: 1 V
Qg- gate charge: 13.6 nC
Minimum operating temperature:-55 C.
Maximum operating temperature:+150 C.
Pd- power dissipation: 1.7 W
Channel mode: Enhancement
Trade name: TrenchFET
Package: Reel
Package: cuttape
Encapsulation: MouseReel
Trademark: Vishay Semiconductors
Configuration: Single
Descending time: 11 ns
Height: 1.45 mm
Length: 2.9 mm
Product type: MOSFETs
Rise time: 22 ns
Series: SI2
Subcategory: Transistors
Transistor type: 1 P-Channel
Typical closing delay time: 52 ns
Typical turn-on delay time: 24 ns
Width: 1.6 mm
Part number alias: si2323dds-t1-be3
Unit weight: 8 mg

SI2323DDS-T1-GE3 MOSFET -20V Vds 8V Vgs SOT-23 0

Produit Tag:

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