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Conectores de IPB200N25N3G TO-263 IC, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único

Conectores de IPB200N25N3G TO-263 IC, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único

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Conectores de IPB200N25N3G TO-263 IC, MOSFET discreto do FET dos dispositivos de semicondutor único
Detalhes do produto:
Lugar de origem: China
Marca: INFINEON
Certificação: ISO9001
Número do modelo: IPB200N25N3G
Condições de Pagamento e Envio:
Quantidade de ordem mínima: >=1pcs
Preço: $4.69
Detalhes da embalagem: A fábrica original selou a embalagem com tipos padrão: tubo, bandeja, fita e carretel, caixa, embala
Tempo de entrega: 2-3Days
Termos de pagamento: D/A, L/C, Western Union, D/P, , T/T
Habilidade da fonte: 100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Contato
Descrição de produto detalhada
Montando o tipo: Tipo de montagem em superfície Temperatura de funcionamento: -55°C ~ 175°C (TJ)
Pacote/caso: TO-263 Tensão da fonte de dreno (Vdss): 250 V
Destacar:

Conectores de TO-263 IC

,

Conectores de IPB200N25N3G IC

IPB200N25N3G FET do semicondutor discreto brandnew e original de TO-263 único, microplaqueta do circuito integrado do MOSFET

DESCRIÇÃO DO PRODUTO

A número da peça IPB200N25N3G é fabricada por INFINEON e distribuída por Stjk. Como um dos distribuidores principais de produtos eletrônicos, nós levamos muitos componentes eletrônicos dos fabricantes superiores do mundo.

Para obter mais informações sobre de IPB200N25N3G detalhou especificações, cotações, prazos de execução, termos do pagamento e mais, por favor não hesite contactar-nos. A fim processar seu inquérito, adicione por favor a quantidade IPB200N25N3G a sua mensagem. Envie um e-mail a stjkelec@hotmail.com para umas citações agora.

PROPRIEDADES DO PRODUTO

Estado do produto
Ativo
Tipo do FET
N-canal
Tecnologia
MOSFET (óxido de metal)
Drene à tensão da fonte (Vdss)
250 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C
64A (Tc)
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs
20mOhm @ 64A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @
4V @ 270µA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (máximo)
±20V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds
7100 PF @ 100 V
Característica do FET
-
Dissipação de poder (máxima)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo
Montagem de superfície
Pacote do dispositivo do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote/caso
TO-263-3, ² Pak de D (2 ligações + abas), TO-263AB
Número baixo do produto
IPB200

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Contacto
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Pessoa de Contato: Tom Guo

Telefone: +8613822899993

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