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ELEKTRONIK CO. STJK (HK), BEGRENZTE

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Verbindungsstücke IPB200N25N3G TO-263 IC, getrennte Halbleiterbauelemente sondern FET MOSFET aus

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Verbindungsstücke IPB200N25N3G TO-263 IC, getrennte Halbleiterbauelemente sondern FET MOSFET aus
Produktdetails:
Herkunftsort: China
Markenname: INFINEON
Zertifizierung: ISO9001
Modellnummer: IPB200N25N3G
Zahlung und Versand AGB:
Min Bestellmenge: >=1pcs
Preis: $4.69
Verpackung Informationen: Ursprüngliche Fabrik versiegelte Verpackung mit Standardarten: Rohr, Behälter, Band und Spule, Kaste
Lieferzeit: 2-3Days
Zahlungsbedingungen: D/A, L/C, Western Union, D/P, , T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 100000 Morgen/Morgen pro Day+pcs+1-2days
Kontakt
Ausführliche Produkt-Beschreibung
Befestigung der Art: Oberflächenmontagetyp Betriebstemperatur: -55°C | 175°C (TJ)
Paket/Fall: ZU-263 Drain-Source-Spannung (Vdss): 250 V
Hervorheben:

TO-263 IC Verbindungsstücke

,

Verbindungsstücke IPB200N25N3G IC

IPB200N25N3G TO-263 nagelneuer und ursprünglicher getrennter Halbleiter einzelner FET, Chip MOSFET-integrierter Schaltung

PRODUKT-BESCHREIBUNG

Teilnummer IPB200N25N3G wird durch INFINEON hergestellt und verteilt durch Stjk. Als einer der führenden Verteiler der elektronischen Produkte, tragen wir viele elektronischen Bauelemente von den Spitzenherstellern der Welt.

Zu mehr Information über IPB200N25N3G Einzelspezifikationen, Zitate, Vorbereitungs- und Anlaufzeiten, Zahlungsbedingungen und mehr, bitte zögern Sie nicht, mit uns in Verbindung zu treten. Um Ihre Untersuchung zu verarbeiten, fügen Sie bitte die Quantität IPB200N25N3G Ihrer Mitteilung hinzu. Schicken Sie stjkelec@hotmail.com für ein Zitat eine E-Mail jetzt.

PRODUKT-EIGENSCHAFTEN

Produkt-Status
Aktiv
Fet-Art
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)
250 V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C
64A (Tc)
Antriebs-Spannung (Max Rds On, Min Rds On)
10V
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs
20mOhm @ 64A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation
4V @ 270µA
Tor-Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Vgs (maximal)
±20V
Eingegebene Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds
7100 PF @ 100 V
Fet-Eigenschaft
-
Verlustleistung (maximal)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C | 175°C (TJ)
Befestigung der Art
Oberflächenberg
Lieferanten-Gerät-Paket
PG-TO263-3
Paket/Fall
TO-263-3, d-² PAK (2 Führungen + Vorsprung), TO-263AB
Niedrige Produkt-Zahl
IPB200

Verbindungsstücke IPB200N25N3G TO-263 IC, getrennte Halbleiterbauelemente sondern FET MOSFET aus 0

Verbindungsstücke IPB200N25N3G TO-263 IC, getrennte Halbleiterbauelemente sondern FET MOSFET aus 1

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Verbindungsstücke IPB200N25N3G TO-263 IC, getrennte Halbleiterbauelemente sondern FET MOSFET aus 3

Kontaktdaten
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

Ansprechpartner: Tom Guo

Telefon: +8613822899993

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