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| 起源の場所: | 中国 |
| ブランド名: | INFINEON |
| 証明: | ISO9001 |
| モデル番号: | IPB200N25N3G |
| 最小注文数量: | >=1pcs |
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| 価格: | $4.69 |
| パッケージの詳細: | 元の工場は標準的なタイプが付いているパッキングを密封した:管、皿、テープおよび巻き枠の箱、袋のパッキング。 |
| 受渡し時間: | 2-3Days |
| 支払条件: | D/A、L/C、ウェスタン・ユニオン、D/P、、T/T |
| 供給の能力: | Day+pcs+1-2daysごとの100000のエーカー/エーカー |
| タイプの取付け: | 表面実装タイプ | 実用温度: | -55°C | 175°C （TJ） |
|---|---|---|---|
| パッケージ/場合: | TO-263 | ドレイン・ソース電圧 (Vdss): | 250V |
| ハイライト: | TO-263 ICのコネクター,IPB200N25N3G ICのコネクター |
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製品の説明
部品番号IPB200N25N3GはINFINEONによって製造され、Stjkによって配られる。電子プロダクトの一流のディストリビューターの1人として、私達は世界の上の製造業者からの多くの電子部品を運ぶ。
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プロダクト特性
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プロダクト状態
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活動的
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FETのタイプ
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N-Channel
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技術
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MOSFET （金属酸化物）
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流出させなさいに源の電圧（Vdss）
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250ボルト
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現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C
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64A （Tc）
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ドライブ電圧（最高Rds、最低Rds）
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10V
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（最高） @ ID、VgsのRds
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20mOhm @ 64A、10V
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Vgs （（最高） Th） @ ID
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4V @ 270µA
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ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs
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86 NC @ 10ボルト
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Vgs （最高）
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±20V
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入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds
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7100 pF @ 100ボルト
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FETの特徴
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-
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電力損失（最高）
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300W （Tc）
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実用温度
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-55°C | 175°C （TJ）
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タイプの取付け
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表面の台紙
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製造者装置パッケージ
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PG-TO263-3
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パッケージ/場合
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TO-263-3のDの²朴（2つの鉛+タブ）、TO-263AB
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基礎プロダクト数
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IPB200
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コンタクトパーソン: Tom Guo
電話番号: +8613822899993
16ビットの埋め込まれたアプリケーション特有のマイクロ制御回路SLB9670VQ20FW785XTMA1
元の卸し業者電子ICの破片XC7K480T-2FFG1156I 1156-BBGA ISO9001
調節可能なプログラム可能なICの破片NCP380LMUAJAATBG-NCP380-QFN6の電源スイッチ/運転者の1:1のP-Channel
プログラム可能なICの破片XC7K410T-2FBG676I - xilinx - XC7K410論理のセル アレイ家族
8ビット16MHz 32KBプログラム可能なICの破片STM8Sのマイクロ制御回路IC 32-LQFP STM8S005K6T6C
32ビット単心コンピュータICは48MHz 128KB抜け目がない48-UFQFPN STM32F0のディストリビューターを欠く
