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제품 소개이산 반도체 장치

집적 회로 이산 반도체 장치 IPB107N20N3G TO263 200V 88A

집적 회로 이산 반도체 장치 IPB107N20N3G TO263 200V 88A

  • 집적 회로 이산 반도체 장치 IPB107N20N3G TO263 200V 88A
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집적 회로 이산 반도체 장치 IPB107N20N3G TO263 200V 88A
제품 상세 정보:
원래 장소: 중국
브랜드 이름: INFINEON
인증: ISO9001
모델 번호: IPB107N20N3G
결제 및 배송 조건:
최소 주문 수량: >=1pcs
가격: request for need
포장 세부 사항: 줄자
배달 시간: 2-3Days
지불 조건: L/C, T/T, D/A, D/P, 웨스턴 유니온,
공급 능력: Day+pcs+1-2days 당 100000 에이커 / 에이커
접촉
상세 제품 설명
패키지 / 건: TO-263-3 출력 전원 :: 표준
작동 온도 :: -55' C ~ 175' C(TJ) 설치 형태: 표면 부착
강조하다:

집적 회로 이산 반도체 장치

,

200V 이산 반도체 장치

,

IPB107N20N3G

IPB107N20N3G TO263 200V 88A 엔-채널 모스 펫 브랜드 뉴와 원래 집적 회로 칩

제품 설명

부품번호 IPB107N20N3G는 인피네온에 의해 제조되고 스트제이케이에 의해 분배됩니다. 전자 제품의 주요 공급자들 중 하나로서, 우리는 많은 전자 부품을 세계의 최고 제조업체들에서 나릅니다.

IPB107N20N3G에 대한 더 많은 정보를 위해 상술, 인용, 생산 소요 시간, 지불 기간을 상술했고, 우리와 연락하기를 더 미안하지만, 주저하지 않습니다. 미안하지만, 당신의 조회를 처리하기 위해 양 IPB107N20N3Gto를 추가합니다 당신의 메시지. 지금 이메일을 인용문을 위한 stjkelec@hotmail.com에게 보내세요.

상품 특성

제품 상태
활동가
드레인 소스 전압 (프즈스)
200V
구동 전압
10V
입력 신호
-
출력 신호
-
설치 형태
표면 부착
자료 비율
-
작동 온도
-55' C ~ 175' C(TJ)
특징
-
증가하는 타입
표면 부착
패키지 / 건
TO263-3
공급자 소자 패키지
PG-TO263-3
베이스 상품 다수
IPB107

집적 회로 이산 반도체 장치 IPB107N20N3G TO263 200V 88A 0

집적 회로 이산 반도체 장치 IPB107N20N3G TO263 200V 88A 1

집적 회로 이산 반도체 장치 IPB107N20N3G TO263 200V 88A 2

집적 회로 이산 반도체 장치 IPB107N20N3G TO263 200V 88A 3

연락처 세부 사항
STJK(HK) ELECTRONICS CO.,LIMITED

담당자: Tom Guo

전화 번호: +8613822899993

회사에 직접 문의 보내기
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