SI2306BDS-T1-GE3 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

Dettagli:

Luogo di origine:	Stati Uniti
Marca:	Vishay
Numero di modello:	SI2306BDS-T1-GE3

Termini di pagamento e spedizione:

Quantità di ordine minimo:	1
Prezzo:	USD 0.01-20/piece
Imballaggi particolari:	SMD/SMT
Tempi di consegna:	5-8 giorni lavorativi
Termini di pagamento:	T/T

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Descrizione di prodotto dettagliata

Prodotto:	MOSFET	Stile di installazione:	SMD/SMT
Pacchetto/scatola:	SOT-23-3	Serie:	SI2
Incapsulazione:	Bobina, nastro tagliato, bobina del mouse	Tipo di prodotto:	MOSFET
Peso unitario:	8 mg
Evidenziare:	Diodo di protezione ESD ad alta efficienza , Diodo di protezione ESD veloce

Produttore: Vishay
Categoria prodotto: MOSFET
Tecnologia: si
Stile di montaggio: SMD/SMT
Package/scatola: SOT-23-3
Polarità del transistor: N-Channel
Numero di canali: 1 Canale
Vds - Tensione di rottura Drain-Source: 30 V.
Id - Corrente di drain continua: 3.16a.
Rds On - Resistenza drain-source on: 47 mOhm.
Vgs - Tensione gate-source: -20 V, +20 V
Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 3 V
Qg - Carica del gate: 3 nC
Temperatura minima di esercizio: -55 C.
Temperatura massima di esercizio: +150 C.
Pd - Dissipazione di potenza: 750 mW
Modalità canale: Enhancement
Marchio commerciale: TrenchFET
Package: Reel
Package: cuttape
Incapsulamento: MouseReel
Marchio: Vishay/Siliconix
Configurazione: Singolo
Tempo di discesa: 6 ns
Tipo di prodotto: MOSFET
Tempo di salita: 12 ns
Serie: SI2
Sottocategoria: Transistor
Tipo di transistor: 1 N-Channel
Tempo di ritardo di chiusura tipico: 14 ns
Tempo di ritardo di accensione tipico: 7 ns
Alias numero parte: SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3-ge3
Peso unitario: 8 mg

Prodotto Tag:

Persona di contatto: Hefengxin

Telefono: +8613652326683

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