SI2306BDS-T1-GE3 MOSFET 30V 4.0A 1.25W 47mohm @ 4.5V

নির্মাতা: বিশে
পণ্য বিভাগ: MOSFET
প্রযুক্তি: si
ইনস্টলেশন শৈলী: SMD/SMT
প্যাকেজ/বাক্স: SOT-23-3
ট্রানজিস্টর পোলারিটি: N-চ্যানেল
চ্যানেলের সংখ্যা: ১ চ্যানেল
Vds- ড্রেইন-সোর্স ব্রেকডাউন ভোল্টেজ: ৩০ V
Id- অবিচ্ছিন্ন ড্রেইন কারেন্ট: ৩.১৬a
Rds অন- ড্রেইন-সোর্স অন প্রতিরোধ: ৪৭ mOhms
Vgs-গেট-সোর্স ভোল্টেজ: - ২০ V,+২০ V
Vgs th- গেট-সোর্স থ্রেশহোল্ড ভোল্টেজ: ৩ V
Qg- গেট চার্জ: ৩ nC
সর্বনিম্ন অপারেটিং তাপমাত্রা: -৫৫ C
সর্বোচ্চ অপারেটিং তাপমাত্রা: +১৫০ C
Pd- বিদ্যুত অপচয়: ৭৫০ mW
চ্যানেল মোড: এনহ্যান্সমেন্ট
ট্রেড নাম: TrenchFET
প্যাকেজ: রিল
প্যাকেজ: কাটটেপ
এনক্যাপসুলেশন: MouseReel
ট্রেডমার্ক: Vishay/Siliconix
কনফিগারেশন: একক
অবরোহন সময়: ৬ ns
পণ্যের প্রকার: MOSFETs
বৃদ্ধি সময়: ১২ ns
সিরিজ: SI2
সাব-ক্যাটাগরি: ট্রানজিস্টর
ট্রানজিস্টরের প্রকার: ১ N-চ্যানেল
সাধারণ ক্লোজিং বিলম্ব সময়: ১৪ ns
সাধারণ টার্ন-অন বিলম্ব সময়: ৭ ns
পার্ট নম্বর alias: SI2306BDS-T1-BE3 SI2306BDS-GE3-ge3
ইউনিট ওজন: ৮ mg

SI2306BDS-T1-GE3.pdf